[发明专利]OLED基板及制备方法、OLED面板及显示装置在审
申请号: | 201510119584.9 | 申请日: | 2015-03-18 |
公开(公告)号: | CN104733504A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 敖宁;白妮妮;张朝波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 制备 方法 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种OLED基板及制备方法、OLED面板及OLED显示装置。
背景技术
OLED器件的封装的密封程度直接影响OLED器件的寿命,因此,其是评价OLED器件好坏的重要指标。
图1为现有的OLED面板的部分结构的示意图。如图1所示,OLED面板由OLED基板1和封装基板2对盒形成。OLED基板1包括基板10,以及制备在基板10上的发光结构(包括阳极层、阴极层、有机功能层等结构);其中,在OLED基板1的边缘区域,还设置有层间绝缘层(ILD)12,所述层间绝缘层12位于OLED基板1的最外侧。封装基板2包括玻璃层20,以及制备在玻璃层20的边缘区域的玻璃胶21。在将OLED基板1和封装基板2对盒时,使玻璃胶21与层间绝缘层12对接,通过激光照射,使玻璃胶21熔融,从而使OLED基板1和封装基板2粘结在一起。
在实际中,玻璃胶21与层间绝缘层12之间的横向强度较小,使上述OLED面板难以承受较大的横向拉力(即方向平行于基板10和玻璃层20的力),在横向拉力较大时,上述OLED面板中的OLED基板1和封装基板2之间会发生相对移动,从而导致OLED面板的密封效果变差,影响OLED面板的寿命。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种OLED基板及制备方法、OLED面板及OLED显示装置,其可以提高OLED面板的横向抗拉力,使OLED面板的结构稳定性更高,具有良好的密封效果,进而使OLED面板具有较长的使用寿命。
为实现本发明的目的而提供一种OLED基板,所述OLED基板的边缘形成有层间绝缘层,所述层间绝缘层的表面上形成有凹坑。
其中,所述层间绝缘层包括至少一层绝缘材料。
其中,所述凹坑的深度不大于所述层间绝缘层厚度的20%。
其中,所述凹坑的数量为多个,且相邻凹坑的边缘相接在一起。
其中,所述凹坑的数量为多个,且所述多个凹坑在所述层间绝缘层表面均匀分布。
其中,所述层间绝缘层与显示区域的栅极层上方的绝缘层同层形成。
其中,所述OLED基板边缘还包括有源层、栅绝缘层或栅极层中的至少一种,其形成在所述层间绝缘层的下方。
作为另一个技术方案,本发明还提供上述OLED基板的制备方法,其包括:
提供一基板;
在所述基板边缘上形成至少一层绝缘材料层;
在所形成的最上一层绝缘材料层的表面制备凹坑,形成层间绝缘层。
其中,在形成所述凹坑之前,所述绝缘材料层与显示区域的栅极层上方的绝缘层同层形成。
其中,所述凹坑通过光刻工艺形成。
可选的,在形成显示区域的栅极层上方的绝缘层时,利用半曝光工艺,形成表面有凹坑的层间绝缘层。
其中,所述光刻工艺的刻蚀深度不大于所有绝缘材料层厚度之和的20%。
其中,在所述层间绝缘层下方形成有源层、栅绝缘层或栅极层中的至少一种。
作为另一个技术方案,本发明还提供一种OLED面板,其包括本发明提供的上述OLED基板。
其中,所述OLED面板还包括封装基板,所述封装基板边缘形成有玻璃胶,所述层间绝缘层具有凹坑的表面与所述玻璃胶贴合在一起。
作为另一个技术方案,本发明还提供上述一种OLED显示装置,其包括本发明提供的上述OLED面板。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的OLED基板及制备方法、OLED面板及OLED显示装置,其层间绝缘层的表面设有凹坑,在将OLED基板与封装基板对盒,进行封装时,层间绝缘层与封装基板的玻璃胶在凹坑处彼此镶嵌在一起,这样可以增大层间绝缘层与玻璃胶之间的横向抗拉强度,即增大OLED基板与封装基板之间的横向抗拉力,从而可以提高OLED面板的结构稳定性,保证OLED面板的密封效果,提高OLED面板的使用寿命。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为现有的OLED面板的部分结构的示意图;
图2为本发明实施方式提供的OLED基板的部分结构的示意图;
图3为OLED基板与封装基板对盒后部分结构的示意图;
图4为制备层间绝缘层的流程图;
图5为绝缘材料层制备完成后的OLED基板边缘结构的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的