[发明专利]半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

衬底，其包括：

绝缘层，其具有顶表面；

导电电路层，其从所述绝缘层的所述顶表面凹入，其中所述导电电路层包括至少一个衬垫及迹线，且所述迹线暴露于所述绝缘层；以及

导电凸块，其安置在所述至少一个衬垫上，其中所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间；

半导体芯片；以及

导电材料，其电连接所述导电凸块与所述半导体芯片；

其中所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中，且

其中所述导电凸块包括主要部分、金属层部分及突起部分，所述突起部分从所述至少一个衬垫突出，所述金属层部分安置在所述突起部分上，所述主要部分安置在所述金属层部分上，且所述主要部分、所述金属层部分及所述突起部分的宽度相同。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电凸块的宽度与所述至少一个衬垫的宽度的比率为0.5至0.8之间。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述迹线安置在邻近于所述至少一个衬垫，所述半导体芯片包括凸块下金属UBM，且所述UBM的侧表面与所述迹线的侧表面共平面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫的圆周内。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电凸块覆盖所述绝缘层的一部分。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述容置空间的宽度大于所述导电凸块的宽度与所述至少一个衬垫的宽度之间的差。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电凸块的宽度小于所述至少一个衬垫的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述至少一个衬垫具有几何中心轴线，所述导电凸块具有几何中心轴线，且在所述至少一个衬垫的所述几何中心轴线与所述导电凸块的所述几何中心轴线之间存在偏移。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述突起部分与所述至少一个衬垫是一体地形成。

10.一种半导体封装结构，其包括：

衬底，其包括：

绝缘层，其具有顶表面；

导电电路层，其从所述绝缘层的所述顶表面凹入，其中所述导电电路层包括至少一个第一衬垫及迹线，且所述迹线暴露于所述绝缘层；以及

第一导电凸块，其安置在所述第一衬垫上；

半导体芯片；以及

导电材料，其电连接到所述第一导电凸块及所述半导体芯片，

其中所述导电材料的一部分低于所述绝缘层的所述顶表面，且

其中所述第一导电凸块包括主要部分、金属层部分及突起部分，所述突起部分从所述第一衬垫突出，所述金属层部分安置在所述突起部分上，所述主要部分安置在所述金属层部分上，且所述主要部分、所述金属层部分及所述突起部分的宽度相同。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述第一导电凸块的宽度小于所述第一衬垫的宽度，且所述第一导电凸块的侧表面、所述第一衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面界定第一容置空间。

12.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述第一导电凸块的宽度与所述第一衬垫的宽度的比率为0.5至0.8之间。

13.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述衬底进一步包括第二导电凸块，且所述导电电路层进一步包括第二衬垫，其中所述第二导电凸块安置在所述第二衬垫上，所述第二导电凸块的宽度小于所述第二衬垫的宽度，所述第二导电凸块的侧表面、所述第二衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面界定第二容置空间，且所述迹线安置在所述第一衬垫与所述第二衬垫之间。

14.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述第一导电凸块定位于所述第一衬垫的圆周内。

15.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述第一导电凸块覆盖所述绝缘层的一部分。

16.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述第一导电凸块的宽度小于所述第一衬垫的宽度。