[发明专利]功率放大模块

权利要求书

1.一种功率放大模块，包括：

第一双极晶体管，该第一双极晶体管将输入至基极的无线频率信号放大并输出；

电流源，该电流源输出控制电流；

第二双极晶体管，该第二双极晶体管与所述电流源的输出端连接，将所述控制电流中的第一电流输入集电极；

控制电压生成电路，该控制电压生成电路与所述电流源的所述输出端连接，生成与所述控制电流中的第二电流相对应的控制电压；

第一FET，该第一FET中，电源电压被提供至漏极，源极与所述第一双极晶体管的基极连接，所述控制电压被提供至栅极；以及

第二FET，该第二FET中，所述电源电压被提供至漏极，源极与所述第二双极晶体管的基极连接，所述控制电压被提供至栅极。

2.如权利要求1所述的功率放大模块，其特征在于，

所述控制电压生成电路，包含：

第一电阻，该第一电阻的一端与所述电流源的所述输出端连接；以及

第二电阻，该第二电阻的一端与所述第一电阻的另一端连接，该第二电阻的另一端接地，

从所述第一以及第二电阻的连接点输出所述控制电压。

3.如权利要求1所述的功率放大模块，其特征在于，

所述控制电压生成电路，包含：

第三双极晶体管，该第三双极晶体管中，所述电源电压被提供至集电极，基极与所述电流源的所述输出端连接；以及

第二电阻，该第二电阻的一端与所述第三双极晶体管的发射极连接，该第二电阻的另一端接地，

从所述第三双极晶体管以及所述第二电阻的连接点输出所述控制电压。

4.如权利要求1～3中任一项所述的功率放大模块，其特征在于，

所述第二双极晶体管的尺寸小于所述第一双极晶体管的尺寸，

所述第二FET的尺寸小于所述第一FET的尺寸。

5.如权利要求1～3中任一项所述的功率放大模块，其特征在于，

所述第一以及第二FET都为耗尽型FET。

6.如权利要求4所述的功率放大模块，其特征在于，

所述第一以及第二FET都为耗尽型FET。

7.如权利要求1～3中任一项所述的功率放大模块，其特征在于，

还包括电源控制电路，该电源控制电路基于表示在所述第一双极晶体管中是否进行所述无线频率信号的放大的放大控制信号，在不进行所述放大的情况下，降低所述电源电压。

8.如权利要求4所述的功率放大模块，其特征在于，

还包括电源控制电路，该电源控制电路基于表示在所述第一双极晶体管中是否进行所述无线频率信号的放大的放大控制信号，在不进行所述放大的情况下，降低所述电源电压。

9.如权利要求5所述的功率放大模块，其特征在于，

还包括电源控制电路，该电源控制电路基于表示在所述第一双极晶体管中是否进行所述无线频率信号的放大的放大控制信号，在不进行所述放大的情况下，降低所述电源电压。

10.如权利要求6所述的功率放大模块，其特征在于，

还包括电源控制电路，该电源控制电路基于表示在所述第一双极晶体管中是否进行所述无线频率信号的放大的放大控制信号，在不进行所述放大的情况下，降低所述电源电压。