[发明专利]功率放大模块

说明书

技术领域

本发明涉及功率放大模块。

背景技术

移动电话等移动通信设备中，采用了用于放大向基站发送的无线频率(RF：Radio Frequency)信号的功率的功率放大模块。像这样的功率放大模块包含：放大RF信号的功率放大器；以及用于向构成该功率放大器的晶体管提供偏置电流的偏置电路。

图10是表示采用射极跟随器型的偏置电路的功率放大模块的结构例的图(例如专利文献1)。偏置电路1000是用于向构成功率放大器1010的双极晶体管T100提供偏置电流，成为射极跟随器型的结构。并且，电池电压V_BAT施加在构成偏置电路1000的双极晶体管T110的集电极上。

像这样的结构中，由于若使双极晶体管T100、T110为例如异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transi stor)，则各双极晶体管的基极·发射极间电压V_BE为1.3V左右，则为了驱动双极晶体管T110，电池电压V_BAT需要为2.8V左右。因此，电池电压V_BAT的最低电压例如一般为2.9V左右。

然而，近年来，移动电话等的移动通信设备中，为了提高通话时间和通信时间，要求使电池电压V_BAT的最低电压例如降低至2.5V左右。然而，采用所述那样的射极跟随器型的偏置电路1000的结构中，由于电池电压V_BAT需要为2.8V左右，无法满足这样的要求。

因此，提出了在偏置电路中采用FET的结构，作为能以更低的电池电压V_BAT使偏置电路工作的结构。图11是表示在偏置电路采用FET的功率放大模块的结构例的图(例如专利文献2)。如图11所示，在向功率放大器1010的双极晶体管T100提供偏置电流的偏置电路1100中，采用了FET(F100)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平11-330866号公报

专利文献2：日本专利特开2010－233171号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

如专利文献2所公开的，通过在偏置电路中采用FET，可降低用于使偏置电路工作的电池电压V_BAT。然而，专利文献2所公开的结构中，将施加在FET(F100)的栅极上的控制电压进行输出的电阻R100、R110的温度特性，与双极晶体管T100的温度特性不同。因此，专利文献2公开的结构中，功率放大器1010的增益与温度变化相对应地发生变动。

本发明是鉴于所述情况而完成的，其目的在于提供一种能以低电压驱动、能改善温度特性的功率放大模块。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一个侧面涉及的功率放大模块，包括：第一双极晶体管，该第一双极晶体管将输入至基极的无线频率信号放大并输出；电流源，该电流源输出控制电流；第二双极晶体管，该第二双极晶体管与电流源的输出端连接，将控制电流中的第一电流输入集电极；控制电压生成电路，该控制电压生成电路与输出端连接，生成与控制电流中的第二电流相对应的控制电压；第一FET，该第一FET中，电源电压被提供至漏极，源极与第一双极晶体管的基极连接，控制电压被提供至栅极；以及第二FET，该第二FET中，电源电压被提供至漏极，源极与第二双极晶体管的基极连接，控制电压被提供至栅极。

发明效果

根据本发明，能提供能进行低电压驱动、能改善温度特性的功率放大模块。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式即包含功率放大模块的发送单元的结构例的图。

图2是表示功率放大模块130的一个例子即功率放大模块130A的结构的框图。

图3是表示功率放大器200A以及偏置电路210A的结构的一例的图。

图4是表示图3所示的偏置电路210A-1中，由于FET(F1、F2)的阈值电压V_TH的波动所产生的偏置电流I_BIAS的变动的一个例子的模拟结果。

图5是偏置电路210A中用于增大单圈环路增益的结构例。

图6是表示图5所示的偏置电路210A-2中，由于FET(F1、F2)的阈值电压V_TH的波动所产生的偏置电流I_BIAS的变动的一个例子的模拟结果。