[发明专利]发光显示器的像素界定层及其制作方法有效
申请号: | 201510122737.5 | 申请日: | 2015-03-19 |
公开(公告)号: | CN104733505B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 洪晓雯;洪豪志 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示器 像素 界定 及其 制作方法 | ||
1.一种发光显示器的像素界定层,所述像素界定层设于基板的导电层上,其特征在于,其包括基膜层,所述基膜层具有多个与各子像素单元发光区域相对应的开口,相邻所述开口之间形成间隔基体;每个所述间隔基体的上表面具有疏水性量子点材料,每个所述开口的侧壁具有亲水性量子材料。
2.如权利要求1所述的发光显示器的像素界定层,其特征在于,所述间隔基体的纵截面为正梯形或者倒梯形。
3.如权利要求1所述的发光显示器的像素界定层,其特征在于,所述间隔基体的高度为0.1~100μm。
4.如权利要求3所述的发光显示器的像素界定层,其特征在于,所述间隔基体的高度为0.5~5μm。
5.如权利要求1所述的发光显示器的像素界定层,其特征在于,每个所述开口的底壁具有亲水性量子点材料。
6.一种发光显示器的像素界定层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,提供一个基板,在基板的导电层上涂覆一层光刻胶,曝光、显影、光刻刻蚀出多个与各子像素单元发光区域相对应的开口,使相邻的开口之间具有间隔基体,形成基膜层;
S2,在间隔基体的上表面喷涂疏水性量子点材料,在开口的侧壁或在开口的侧壁及底壁喷涂亲水性量子点材料;或者
在间隔基体的上表面和开口的侧壁喷涂亲水性量子点材料或者在间隔基体的上表面和开口的侧壁及底壁均喷涂亲水性量子点材料,将位于间隔基体的上表面的亲水性量子点材料改变成疏水性量子点材料;或者
在间隔基体的上表面和开口的侧壁喷涂疏水性量子点材料或者在间隔基体的上表面和开口的侧壁及底壁均喷涂疏水性量子点材料,将位于开口的侧壁或者开口的侧壁及底壁的疏水性量子点材料改变成亲水性量子点材料。
7.如权利要求6所述的发光显示器的像素界定层的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中,光刻胶采用负性光刻胶,曝光、显影、光刻刻蚀形成间隔基体,间隔基体的纵截面为倒梯形。
8.如权利要求6所述的发光显示器的像素界定层的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中,光刻胶采用正性光刻胶,曝光、显影、光刻刻蚀形成间隔基体,间隔基体的纵截面为正梯形。
9.如权利要求6所述的发光显示器的像素界定层的制作方法,其特征在于,所述步骤S2中,使用置换官能基、超声乳化法或者光照的方式将疏水性量子点材料改变成亲水性量子点材料;或者使用置换官能基的方法将亲水性量子点材料改变成疏水性量子点材料。
10.如权利要求6所述的发光显示器的像素界定层的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中,基板采用导电玻璃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的