[发明专利]一种迟滞电路及其工作方法有效
申请号: | 201510130225.3 | 申请日: | 2015-03-24 |
公开(公告)号: | CN105322925B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 宋晓贞 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 蒋雅洁;张颖玲 |
地址: | 518085 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 迟滞 电路 及其 工作 方法 | ||
1.一种迟滞电路,所述迟滞电路包括第一输入电压Vref,第二输入电压Vin,其特征在于,所述迟滞电路还包括:第一开关电压Vo、第二开关电压Vob、第一电阻R1,第二电阻R2、输入对管和开关管,所述输入对管由第四PMOS晶体管mp4和第五PMOS晶体管mp5构成,所述开关管由第六PMOS晶体管mp6和第三NMOS晶体管mn3构成;
所述第一输入电压Vref和第二输入电压Vin通过输入对管接入第一电阻R1,第二电阻R2;
所述开关管的两端分别与所述第二电阻R2的两端进行连接;
所述第一开关电压Vo、第二开关电压Vob连接所述开关管的栅极。
2.根据权利要求1所述的迟滞电路,其特征在于,所述第一输入电压Vref通过第四PMOS晶体管mp4接入第一电阻R1,所述第二输入电压Vin通过第五PMOS晶体管mp5接入第二电阻R2。
3.根据权利要求2所述的迟滞电路,其特征在于,所述第四PMOS晶体管mp4的漏极连接第一负载,所述第五PMOS晶体管mp5的漏极连接至第二负载;其中,所述第一负载与所述第二负载构成电流镜。
4.根据权利要求1所述的迟滞电路,其特征在于,所述第六PMOS晶体管mp6的源极和所述第三NMOS晶体管mn3的漏极连接至所述第二电阻R2与所述第一电阻R1连接的一端,所述第六PMOS晶体管mp6的漏极和所述第三NMOS晶体管mn3的源极连接至所述第二电阻R2的另一端。
5.一种迟滞电路的工作方法,其特征在于,所述工作方法应用于权利要求1至4中任一项权利要求所述的迟滞电路,所述工作方法包括:所述第一输入电压Vref和第二输入电压Vin通过输入对管接入第一电阻R1,第二电阻R2;
当所述第二输入电压Vin大于所述第一电压Vref,且所述开关管导通时,所述第二输入电压Vin与所述第一电压Vref的迟滞电压VT1为VT1=Vin-Vref=Ib·R1;
当所述第二输入电压Vin小于所述第一电压Vref,且所述开关管断开时,所述第二输入电压Vin与所述第一电压Vref的迟滞电压VT2为VT2=Vin-Vref=Ib·(R1-R2);
其中,Ib为输入迟滞电路的尾电流的二分之一。
6.根据权利要求5所述的工作方法,其特征在于,所述工作方法还包括:
当所述第一开关电压Vo为低电平,所述第二开关电压Vob为高电平时,所述开关管闭合;
当所述第一开关电压Vo为高电平,所述第二开关电压Vob为低电平时,所述开关管断开。
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