[发明专利]用于光刻工艺的辅助部件

说明书

本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。

技术领域

本发明涉及用于光刻工艺的辅助部件。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常已经增加而几何尺寸(即，可使用制造工艺制造的最小部件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小还增加了处理和制造IC的复杂度，并且为了实现的这些进步，需要IC制造的类似发展。

例如，补充传统的透射型光刻或者用反射型光刻来代替传统的透射型光刻。通常使用一组光刻掩模通过在半导体衬底上层压部件来组装IC。通过透射区域来形成的透射型掩模具有图案。在光刻曝光期间，辐射(诸如紫外光)在撞击涂覆在衬底上的光刻胶之前穿过掩模的透射区域。掩模将图案转印到光刻胶。相反，反射型掩模包括反射区域和非反射区域。在曝光期间，从掩模反射的光用于在衬底上形成图案。在任一类型的曝光之后，选择性地去除光刻胶以显示图案。然后，衬底经受利用剩余光刻胶的形状在衬底上产生电路的处理步骤。当处理步骤完成时，再应用光刻胶并使用下一掩模暴露衬底。以这种方式，层压部件以产成最终电路。

在许多应用中反射型掩模是具有优势的，因为它们可与相对较高频率的辐射(诸如远紫外(EUV)辐射)结合使用。EUV辐射比传统的UV辐射形成更精细的图案和更小的部件，但是在光刻中使用存在挑战。例如，大多数掩模材料阻挡EUV辐射，使得难以制造合适的透射型掩模。相反，对于EUV环境，更容易制造和调整反射型掩模。出于这种原因和其他原因，反射型掩模和反射型光刻已表现出积极的结果，但是也存在挑战。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种光刻掩模，包括：掩模衬底；反射结构，设置在所述掩模衬底上；以及吸收层，形成在所述反射结构上，其中，所述掩模包括限定在所述掩模上的印刷部件区域和辅助部件区域，其中，所述吸收层在所述印刷部件区域中具有第一厚度且在所述辅助部件区域中具有第二厚度，并且其中，所述第一厚度不同于所述第二厚度。

在上述光刻掩模中，其中，所述印刷部件区域基本不包括所述吸收层。

在上述光刻掩模中，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。

在上述光刻掩模中，其中，配置所述第二厚度使得通过所述辅助部件区域反射的辐射不超过目标光刻胶的曝光阈值。

在上述光刻掩模中，其中，所述辅助部件区域邻近所述印刷部件区域。

在上述光刻掩模中，其中，所述吸收层包括上吸收层和下吸收层。

在上述光刻掩模中，其中，所述吸收层包括上吸收层和下吸收层；其中，所述辅助部件区域包括部分所述上吸收层和部分所述下吸收层。

在上述光刻掩模中，其中，所述吸收层包括上吸收层和下吸收层；其中，所述辅助部件区域基本不包括所述上吸收层。

根据本发明的另一个方面，提供了一种光刻技术，所述技术包括：接收掩模，所述掩模具有印刷部件区域、子分辨率辅助部件(SRAF)区域和既非所述印刷部件区域也非所述SRAF区域的第三区域，每个区域中均设置有不同厚度的吸收层；将所述掩模暴露于辐射，使得通过所述SRAF区域反射的辐射的强度基本在通过所述印刷部件区域反射的辐射的强度和通过所述第三区域反射的辐射的强度之间；以及使用通过所述印刷部件区域反射的辐射、通过所述SRAF区域反射的辐射以及通过所述第三区域反射的辐射来曝光工件。