[发明专利]NAND型闪速存储器

权利要求书

1.一种NAND型闪速存储器，包括：

衬底，其包括有源区和在第一方向上纵向延伸并且与所述有源区相邻的沟槽；

第一串选择线和第二串选择线，其布置在所述衬底上并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；

第一接地选择线，其布置在所述衬底上并且在所述第二方向上延伸；

多条字线，其布置在所述第一串选择线和所述第一接地选择线之间并且在所述第二方向上延伸；

第一绝缘层，其形成在所述沟槽的第一部分中，所述第一绝缘层的位置在所述第一串选择线和第二串选择线之间；以及

空气间隙，其形成在所述沟槽的第二部分中并且在所述第一方向上延伸，所述第二部分在所述多条字线下方形成在所述衬底中。

2.根据权利要求1的NAND型闪速存储器，其中，所述第二部分延伸以在所述第一接地选择线下方形成在所述沟槽中。

3.根据权利要求2的NAND型闪速存储器，还包括布置在所述衬底上并且面对所述第一接地选择线的第二接地选择线。

4.根据权利要求3的NAND型闪速存储器，其中，第二绝缘层形成在所述沟槽的第三部分中，并且所述第二绝缘层的位置在所述第一接地选择线和第二接地选择线之间。

5.根据权利要求4的NAND型闪速存储器，其中，所述空气间隙延伸以在所述第二接地选择线下方形成在所述沟槽的第四部分中。

6.一种NAND型闪速存储器，包括：

衬底，其包括由多个沟槽限定的多个有源区，各有源区和沟槽在第一方向上纵向延伸；

第一串选择线和第二串选择线，其布置在所述衬底上并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；

第一接地选择线和第二接地选择线，其布置在所述衬底上并且在所述第二方向上延伸；

多条字线，其布置在所述衬底上并且在所述第二方向上延伸，所述多条字线的位置在所述第一串选择线和所述第一接地选择线之间；

第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述多个沟槽当中的沟槽的第一部分，所述第一部分位于所述第一串选择线和第二串选择线之间，并且所述第二绝缘层布置在所述沟槽的第二部分中，所述第二部分布置在所述第一接地选择线和第二接地选择线之间；以及

空气间隙，其形成在所述沟槽的第三部分中，所述第三部分位于所述第一部分和第二部分之间，其中，所述空气间隙在所有字线、所述第一串选择线和所述第一接地选择线下方在所述第一方向上延伸。

7.根据权利要求6的NAND型闪速存储器，其中，所述第一绝缘层在所述第二方向上完全填充所述沟槽的第一部分。