[发明专利]NAND型闪速存储器

说明书

一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

本申请是基于2011年11月15日提交的、申请号为201110361877.X、发明创造名称为“制造非易失性存储器装置的方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施例涉及一种制造非易失性存储器装置的方法。

背景技术

非易失性存储器集成电路装置即使在电力中断的情况下也能保存所存储的数据。因此，非易失性存储器集成电路装置广泛用于诸如数字相机、蜂窝电话、个人数字助理(PDA)或MP3播放器的信息通信装置中。

发明内容

本发明的实施例涉及一种制造非易失性存储器装置的方法，该方法包括：提供具有由多个沟槽限定的有源区的衬底；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽下部的第一区以及填充除沟槽下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区在沟槽中形成空气间隙；以及在维持空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分以及第二隔离层的一部分。

在沟槽中形成空气间隙包括：形成空气间隙，使得第一隔离层的另一部分和第二隔离层的另一部分包围该空气间隙。

该方法可进一步包括：在移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分之后，在第一隔离层的另一部分以及第二隔离层的另一部分上形成第二电介质层和字线。

移除牺牲层的第一区可包括：在牺牲层和第二隔离层之间使用蚀刻选择性来选择性地移除牺牲层。

提供衬底可包括：在有源区和电荷存储浮置图案上顺序堆叠第一电介质层。

移除牺牲层的第一区可包括：在牺牲层和第二隔离层之间使用第一蚀刻选择性以及在牺牲层和电荷存储浮置图案之间使用第二蚀刻选择性来选择性地移除牺牲层。

形成牺牲层可包括：使用硬掩模上旋涂或硅氮化物层来形成牺牲层。

提供衬底可包括：提供包含至少两个单元块的衬底，并且移除牺牲层的第一区可包括：形成包含在两个单元块之间限定的开口区的掩模图案；通过移除第二隔离层并使用掩模图案作为蚀刻掩模来暴露牺牲层的一部分；以及通过穿过开口区移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙。

本发明的另一实施例针对一种制造非易失性存储器装置的方法，该方法包括：提供具有由多个沟槽限定的有源区并包括至少两个单元块的衬底；在衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充多个沟槽，牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层上和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；在衬底上形成掩模图案，该掩模图案包括在至少两个单元块之间限定的开口区；通过使用掩模图案作为蚀刻图案移除第二隔离层来暴露牺牲层的一部分；通过穿过掩模图案的开口区移除牺牲层的第一区来在沟槽中形成空气间隙；以及在衬底上形成第三隔离层以填充与开口区相对应的多个沟槽中的一些沟槽。

该方法可进一步包括：在填充与开口区相对应的一些沟槽之后，在维持空气间隙的同时移除第一隔离层的第一部分和第二隔离层的第一部分。

在沟槽中形成空气间隙可包括：形成空气间隙，使得第一隔离层的第二部分和第二隔离层的第二部分包围该空气间隙。

该方法可进一步包括：在移除第一隔离层的第一部分和第二隔离层的第一部分之后，在第一隔离层的第二部分以及第二隔离层的第二部分上形成第二电介质层和字线。