[发明专利]基板处理方法

说明书

本发明提供一种能够通过针对在基板处理中接受处理中断指令而中断处理的基板进行再处理，而实现成品率提升的基板处理方法。该基板处理方法为，按照预先设定的配方选单，将基板依次搬送至多个处理部并进行预定的处理，该基板处理方法的特征为，在处理部处理基板时，将通过处理中断指令而中断处理的基板形成为待机状态，将配方选单定制化，按照定制化的配方选单，进行中断处理的基板的再处理、或按照预先设定的再处理用的配方选单，进行中断处理的基板的再处理。

技术领域

本发明涉及按照预先设定的配方选单(recipe)，将半导体晶片等基板依次搬送至多个处理部并进行处理的基板处理方法。

背景技术

近年来，随着半导体设备的高集积化、高密度化，电路配线越来越微细化，多层配线的层数也不断增加。当要达成电路微细化并同时实现多层配线，由于一边沿袭下侧的层的表面凹凸，阶梯差一边变得更大，因此随着配线层数增加，对形成薄膜时的阶梯差形状的膜被覆性(阶跃式覆盖率)会变差。因此，为了形成为多层配线，必须改善该阶跃式覆盖率且在适当过程中进行平坦化处理。此外，由于焦点深度随着光微影的微细化而变浅，因此需要将半导体设备表面进行平坦化处理，以使半导体设备的表面凹凸阶梯差在焦点深度以下。

因此，在半导体设备的制造工序中，半导体设备表面的平坦化技术日益重要。该平坦化技术的中最为重要的技术为化学机械研磨(CMP(Chemical Mechanical Polishing))。该化学机械研磨是使用研磨装置，一边将含有二氧化硅(SiO2)或二氧化铈(CeO2)等磨料的研磨液(浆料)供给至研磨垫，一边使半导体晶片等基板与研磨垫滑动接触来进行研磨的。

包含CMP流程在内，在半导体设备的制造流程中成品率的改善、装置运转率的提高成为重要课题。因此，在工厂(Fab)内导入EES(Equipment Engineering System，设备工程系统)或FDC(Fault Detection&Classification，错误侦测与分类)，通过监视各半导体制造装置中每个半导体制造装置的运转状况而活用在防止成品率降低的情况。CMP装置的情况下，对工厂(Fab)内的FDC系统报告研磨台、研磨头(顶环)、浆料、修整器等的加工点数据，FDC通过将该等数据进行收集、解析来监视数据变动。通过变动量，CMP装置从FDC接收处理的中断指令(FDC错误)。处理中断指令是指例如第一研磨处理中的晶片在之后马上结束第一研磨，并未继续第二研磨之后的处理，跳过后续处理而返回至盒。另外，盒内的未处理晶片也形成为跳过处理，在未处理的状况下即完成处理。这些晶片形成为拒绝(REJECTED)或跳过(SKIPPED)而向FDC等工厂(Fab)内的系统报告。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2009-200476号公报

(发明所要解决的问题)

近年来，对于通过处理中断指令而结束的晶片，也有进行尽可能的再处理而想要进行救济的迫切期望。在CMP装置中在多个腔室实施多段研磨，因此中断处理的场所在第一研磨、第二研磨、或研磨工序之后的清洗工序中，再处理流程不同。因此，在再处理中，必须按照中断的案例而将配方选单定制化。但是，装置在工厂(Fab)内进行基于主计算机的在线(Online)的遥控管理，配方选单对晶片盒，原则上为1个，为了在中断后的再处理中重新分配配方选单，必须暂时将晶片载体从装置搬出，再次重新搬入而再登录。此时，等待再搬入成为至再处理为止的损失时间，有多个无法救济的案例。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而作出的，目的在于提供针对在基板处理中接受处理中断指令而中断处理的基板进行再处理，由此可实现成品率提升的基板处理方法。

(用于解决问题的手段)