[发明专利]液晶显示面板、阵列基板及其薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基体；

在所述基体上形成第一金属层，其中所述第一金属层包括依次层叠的铝金属层、氧化铝层及钼金属层；

对所述第一金属层进行图案化以形成所述薄膜晶体管的栅电极；

在所述栅电极上依序形成栅绝缘层、半导体层及欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上形成第二金属层；

对所述第二金属层进行图案化以形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极，其中，所述第二金属层也包括依次层叠的所述铝金属层、所述氧化铝层及所述钼金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述欧姆接触层上形成第一金属层的步骤包括：

采用等离子体轰击铝靶材，以将铝溅射于所述基体上；

通入氧气，使得所述铝在溅射时发生氧化反应形成氧化铝层；

在所述氧化铝层上形成所述钼金属层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在由所述源电极和所述漏电极组成的源漏电极层上形成钝化层；

在所述钝化层上形成接触孔以暴露所述源电极或所述漏电极；

在所述钝化层上形成像素电极，且所述像素电极通过所述接触孔与所述源电极和所述漏电极中的一个电连接。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过干法刻蚀的方式形成所述接触孔。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基体包括衬底板材以及形成于所述衬底板材上的氧化层。

6.一种由权利要求1-5中任一所述制造方法制造的阵列基板，包括基体以及形成于所述基体上的薄膜晶体管阵列及像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅电极包括依次层叠的铝金属层、氧化铝层及钼金属层，所述像素电极通过接触孔与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接，其中所述源电极和所述漏电极包括依次层叠的所述铝金属层、所述氧化铝层、所述钼金属层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括形成于所述栅电极上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的半导体层、形成于所述半导体层上的欧姆接触层，所述源电极和所述漏电极形成于所述欧姆接触层上。

8.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括权利要求6-7任意一项所述的阵列基板。