[发明专利]四氧化三钴多孔纳米线阵列的超级电容器电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种四氧化三钴纳米线阵列的超级电容器用电极材料，所述的超级电容器的电极体系包括导电集流体，电极活性材料、电解液和隔膜，其特征在于，所述电极活性材料是直接生长在导电集流体上的多孔四氧化三钴纳米线阵列，所述的导电集流体为导电玻璃，镍片或泡沫镍网，所述的四氧化三钴纳米线阵列的形貌为5-10根纳米线的末端相结合的棱锥体类“神经元”结构，其中阵列长度为5μm-20μm。

2.一种四氧化三钴纳米线阵列的超级电容器用电极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将钴盐、络合剂和碱性沉淀剂在蒸馏水中均匀超声混合，将该溶液移入聚四氟内衬的高压反应釜中，并将洗涤后的导电基底置于溶液中，反应温度为100℃~140℃，时间为3~10h，反应完成后取出基底并进行水洗和真空干燥，得到四氧化三钴的先驱体；将四氧化三钴前躯体在空气气氛中进行热处理，热处理的温度为200℃~600℃，得到四氧化三钴纳米线阵列，钴盐为硝酸钴或醋酸钴，络合剂为氟化铵，碱性沉淀剂为尿素，钴盐、络合剂与碱性沉淀剂的摩尔比为1:(2-4):5，络合剂作用是促进晶种在导电玻璃表面成膜，以及利用所形成HF的腐蚀作用，使基底表面粗糙，有助于晶体成核，导电基底的导电面向下置于反应釜中，且与底部的内角呈45°~75°，在导电基底上原位生长的四氧化三钴纳米线阵列用作超级电容器赝电容电极材料。