[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：一基板，以及在所述基板上依次形成的栅极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源漏电极层，钝化层，有机绝缘层和像素电极层；

在位于所述源漏电极层的漏电极上方的所述钝化层和所述有机绝缘层上形成有第一接触孔，所述的源漏电极层的漏电极通过该第一接触孔与所述的像素电极层相连接；其中，所述的第一接触孔包括同心的钝化层第一接触孔和有机绝缘层第一接触孔；所述钝化层第一接触孔的孔径大于所述有机绝缘层第一接触孔的孔径。

2.根据权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于：所述的钝化层第一接触孔和有机绝缘层第一接触孔的形状为圆形或正方形。

3.根据权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于：所述的漏电极包括漏上金属层和漏下金属层；其中，所述的漏上金属层为Al金属，所述的漏下金属层为钛或钼金属。

4.一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：

第一步、在透明基板上，沉积金属薄膜，在该金属薄膜上刻蚀出栅极；

第二步、形成栅极绝缘层；

第三步、沉积金属氧化物薄膜，形成氧化物半导体层；

第四步、在以上步骤基础上形成金属层，该金属层包括数据线、源电极和漏电极；

第五步、在步骤四上形成钝化层；

第六步、在以上阵列基板上涂布光刻胶并对光刻胶进行曝光，并对光刻胶进行显影，使第一接触孔位置处的钝化层暴露。

第七步、形成钝化层第一接触孔；

第八步、对暴露出第一接触孔位置对应的漏电极的漏上金属层刻蚀掉；

第九步、对以上阵列基板涂布有机绝缘层；

第十步、形成有机绝缘层第一接触孔；

第十一步、形成像素电极层，像素电极层通过钝化层和有机绝缘层上形成的第一接触孔与漏电极连接。

5.根据权利要求4所述的一种阵列基板，其特征在于：步骤十中的有机绝缘层第一接触孔的孔径小于所述钝化层第一接触孔的孔径。

6.根据权利要求4所述的一种阵列基板，其特征在于：在步骤八中对金属氧化物半导体层刻蚀掉。