[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前，在利用氧化物薄膜场效应晶体管驱动液晶显示器的技术中，金属铝会经常作为配线材料，但是铝的活性较强，会发生原子渗透，改变相邻材料的固有特性。一般会使用隔绝层来阻挡金属铝的渗透，隔绝层通常采用金属钛或者金属钼。所以阵列基板上的配线往往是三层结构，即钛/铝/钛或者钼/铝/钼。为了节约成本，源漏金属配线采用钛/铝或者钼/铝叠层，即去除铝上面的隔绝层。现有技术阵列基板的制备过程包括如下步骤：

第一步、在透明基板上，沉积金属薄膜，在该金属薄膜上刻蚀出栅极。

第二步、形成栅极绝缘层。

第三步、沉积非晶硅薄膜，在该薄膜上刻蚀出图案，形成非晶硅半导体层。

第四步、沉积金属薄膜，在该金属薄膜上形成金属层，所述金属层包括数据线和源漏极。

第五步、形成钝化层。

第六步、在以上阵列基板上涂布有机绝缘层。

第七步、对有机绝缘层进行曝光；并进行显影，剥离接触孔位置的有机绝缘层，刻上接触孔。

第八步、对接触孔位置的钝化层进行干刻，去除接触孔位置的钝化层。

第九步、对接触孔区域暴露出来的金属铝进行湿刻。

第十步、沉积ITO图形，并形成像素电极通过接触孔与漏电极连接。

现有技术制备出的阵列基板像素区域的结构示意图如1所示，其中，钝化层(图中未示)是透明的，并覆盖了透明基板的绝大部分，ITO电极层通过接触孔与漏电极连接。如图2所示为图1中AA’位置的截面示意图，包括在透明基板00上依次形成栅极01、栅极绝缘层02、非晶硅半导体层03、漏极金属层04、钝化层 05、有机绝缘层06、接触孔07以及ITO层08。其中，漏极金属层04包括漏上金属Al层41和漏下金属层42，下金属层为钛或钼。漏上金属Al暴露部分会被湿刻掉，所以会出现钝化层与漏下金属之间的断层，沿着AA’剖面方向的像素电极层会发生断线，但是像素电极层可以成功与源漏下金属连接上。半导体非晶硅层03设置在栅极绝缘层和漏极金属层之间是为了防止钝化层过刻，导致像素电极层与下方的栅金属层连接导通。

在金属氧化物阵列基板的制造过程中，使用金属氧化物半导体层代替非晶硅层担任接触孔阻挡层03，如下图3所示，在接触孔07干刻过程中，由于金属氧化物无法被干刻，导致等离子体大量向侧向刻蚀，使得钝化层05的刻蚀速度远远大于有机绝缘层06的刻蚀速度，导致接触孔位置出现了有机绝缘层与钝化层之间的逆向倒角09，这会导致像素电极层的断线，无法给像素电极充电。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明揭示一种阵列基板，包括：一基板，以及在所述基板上依次形成的栅极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源漏电极层，钝化层，有机绝缘层和像素电极层；

在位于所述源漏电极层的漏电极上方的所述钝化层和所述有机绝缘层上形成有第一接触孔，所述的源漏电极层的漏电极通过该第一接触孔与所述的像素电极层相连接；其中，所述的第一接触孔包括同心的钝化层第一接触孔和有机绝缘层第一接触孔；所述钝化层第一接触孔的孔径大于所述有机绝缘层第一接触孔的孔径。

进一步，所述的钝化层第一接触孔和有机绝缘层第一接触孔的形状为圆形或正方形。

进一步，所述的漏电极包括漏上金属层和漏下金属层；其中，所述的漏上金属层为Al金属，所述的漏下金属层为钛或钼金属。

本发明还给出了一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：

第一步、在透明基板上，沉积金属薄膜，在该金属薄膜上刻蚀出栅极；

第二步、形成栅极绝缘层；

第三步、沉积金属氧化物薄膜，形成氧化物半导体层；

第四步、在以上步骤基础上形成金属层，该金属层包括数据线、源电极和漏电极；

第五步、在步骤四上形成钝化层；

第六步、在以上阵列基板上涂布光刻胶并对光刻胶进行曝光，并对光刻胶进行显影，使第一接触孔位置处的钝化层暴露。

第七步、形成钝化层第一接触孔；

第八步、对暴露出第一接触孔位置对应的漏电极的漏上金属层刻蚀掉；

第九步、对以上阵列基板涂布有机绝缘层；

第十步、形成有机绝缘层第一接触孔；

第十一步、形成像素电极层，像素电极层通过钝化层和有机绝缘层上形成的第一接触孔与漏电极连接。

进一步，步骤十中的有机绝缘层第一接触孔的孔径小于所述钝化层第一接触孔的孔径。