[发明专利]RF MEMS开关硅梁结构在审
| 申请号： | 201510138222.4 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104779121A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 杨俊民 | 申请（专利权）人： | 苏州锟恩电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rf mems 开关 结构 | ||
【权利要求书】：
1. RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。
2.如权利要求1所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边为横边长度2-5倍。
3. 如权利要求2所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边为横边长度4倍。
4. 如权利要求1所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁厚度为3—5μm。
5. 如权利要求4所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁厚度为4μm。
6. 如权利要求1所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁材料选用Al／Si／Al合金。
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