[发明专利]RF MEMS开关硅梁结构

说明书

技术领域

本发明涉及RF MEMS开关硅梁结构，属于射频技术领域。

背景技术

    RF MEMS开关要求具有响应时间短、能耗低和易集成等特点，不同形式打折梁、不同朦厚等结构参数对上述性能有重要的影响，实验表明，为降低结构的谐振频率和驱动电压，支撑上电极和介质膜的梁必须设计为打折梁，梁的长度越长且整个结构越对称，结构的模态特性越好，同时其阈值电压越低，应力分布越均匀。支撑上电极和介质膜的梁的厚度越薄，结构的谐振频率越低，阈值电压越低，结构的性能越好。

发明内容

本发明的目的是提供RF MEMS开关硅梁结构，通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。

为实现上述目的，本发明是通过以下技术手段来实现的：

RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用对角Z形梁连接。

进一步地：

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边为横边长度2-5倍。

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边为横边长度4倍。

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁厚度为3—5μm。

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁厚度为4μm。

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁材料选用Al／Si／Al合金。

本发明的有益效果是：本发明通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。

附图说明

图1为本发明结构示意图。

具体实施方式

下面将结合说明书附图，对本发明作进一步的说明。

RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极2、锚点1，其特征在于：所述上电极2和锚点1采用对角Z形梁3连接。

进一步地：

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边302为横边长301度2-5倍。

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁竖边302为横边301长度4倍。

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁3厚度为3—5μm。

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁3厚度为4μm。

所述的RF MEMS开关硅梁结构，其特征在于：所述Z形梁3材料选用Al／Si／Al合金。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本设计不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本设计的原理，在不脱离本设计精神和范围的前提下，本设计还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本设计范围内。本设计要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。