[发明专利]一种聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的制备方法以及用途

权利要求书

1.一种聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线，其特征在于，包括三层结构，第一层为光滑、均一的银纳米线，第二层为紧密包裹在银纳米线表面的硫化银小颗粒，第三层为在银@硫化银核壳结构纳米线表面电沉积的聚吡咯。

2.如权利要求1所述的聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线，其特征在于，所述银纳米线直径为20-30纳米。

3.如权利要求1或2所述聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)合成Ag纳米线；

(2)制备Ag@Ag₂S纳米线；

(3)制备聚吡咯/Ag@Ag₂S核壳结构纳米线。

4.如权利要求3所述聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(1)采用多元醇还原法制备：

(1-1)将含有聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇加入到小烧杯中；

(1-2)将其放在磁力搅拌器上搅拌；

(1-3)向烧瓶中逐滴加入AgNO₃的乙二醇溶液，并加入一滴AgCl的澄清液；

(1-4)将小烧杯中的溶液倒入圆底烧瓶内，并放在油浴锅里继续加热搅拌；

(1-5)产物分别用丙酮、二次水离心清洗。

5.如权利要求3或4所述聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将先前合成出的Ag纳米线加入到Na₂S溶液中，反应在室温下放置一段时间，产物用乙醇、二次水分别离心清洗三遍。

6.如权利要求3-5中任一项所述聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(3)中聚吡咯/Ag@Ag₂S核壳结构纳米线修饰电极采用如下步骤制备：

(3-1)准备Ag@Ag₂S纳米线修饰的玻碳电极；

(3-2)将玻碳电极超声清洗洁净后在室温下干燥；

(3-3)将事先制备好的Ag@Ag₂S纳米线溶解在N,N-二甲基甲酰胺中，超声分散后滴到玻碳电极上；

(3-4)干燥后得到Ag@Ag₂S纳米线修饰的玻碳电极；

(3-5)用循环伏安扫描方法在修饰后的电极表面上包裹上一层聚吡咯薄膜，得到聚吡咯/Ag@Ag₂S核壳结构纳米线。

7.如权利要求3-6中任一项所述聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，刻蚀时间为0-48小时，循环伏安扫描圈数为4-18圈。

8.如权利要求3-7中任一项所述聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，

步骤(1-1)中，聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液质量浓度为0.015-0.025g/mL；

步骤(1-2)中，搅拌20min；

步骤(1-3)中采用浓度为0.1-0.2mol/L的硝酸盐的乙二醇溶液；

步骤(1-4)中，搅拌30min；

步骤(1-5)中，先用丙酮离心清洗3次，再用二次水离心清洗3次。

9.如权利要求3-8中任一项所述聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，采用0.001-0.01M的Na₂S溶液，银纳米线在Na₂S溶液的浓度1.0-1.5M，反应在室温下放置4-48h，产物用乙醇、二次水分别离心清洗3次。

10.如权利要求1或2所述聚吡咯/银@硫化银核壳结构纳米线的用途，其特征在于，作为光电化学传感器，用于对焦棓酸进行光电化学检测。