[发明专利]桥式电路及其元件

权利要求书

1.一种电路，包括：

耗尽型晶体管，该耗尽型晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一沟道；以及

具有阈值电压的增强型晶体管，该增强型晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第二沟道、反并联到所述第二沟道的寄生二极管，所述第二漏极被电连接到所述第一源极，

其中，所述电路被构造以使得：

在该电路的第一工作模式期间，所述第一漏极的电压被保持高于所述第二源极的电压，相对于所述第二源极，大于所述增强型晶体管的阈值电压的电压被施加到所述第二栅极，以及电流从所述第一漏极流向所述第二源极，其中，在所述第一工作模式期间，电流流过所述第一沟道并且流过所述第二沟道；

在该电路的第二工作模式期间，所述第一漏极的电压低于所述第二源极的电压，相对于所述第二源极，小于所述增强型晶体管的阈值电压的电压被施加到所述第二栅极，以及电流从所述第二源极流向所述第一漏极，其中，在所述第二工作模式期间，电流流过所述第一沟道，但该电流的大部分不流过所述第二沟道；

在该电路的第三工作模式期间，所述第一漏极的电压低于所述第二源极的电压，相对于所述第二源极，大于所述增强型晶体管的阈值电压的电压被施加到所述第二栅极，以及电流从所述第二源极流向所述第一漏极，其中，在所述第三工作模式期间，电流流过所述第一沟道并且流过所述第二沟道。

2.根据权利要求1所述的电路，在所述第二工作模式期间，电流的大部分流过所述寄生二极管。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路的所述第三工作模式较之所述第二工作模式是低功率工作模式。

4.根据权利要求1所述的电路，还包括并联连接至所述寄生二极管的附加二极管。

5.根据权利要求4所述的电路，在所述第二工作模式期间，电流的大部分流过所述附加二极管。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述电路的所述第三工作模式较之所述第二工作模式是低功率工作模式。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路包括半桥，该半桥具有开关，并且所述增强型晶体管和所述耗尽型晶体管是所述开关的部分。

8.根据权利要求1-7中任何一项所述的电路，所述耗尽型晶体管是II-N HEMT。

9.根据权利要求1-7中任何一项所述的电路，所述增强型晶体管是Si MOS晶体管。

10.一种电路，包括：

电感组件，该电感组件耦合到开关装置，该开关装置包括耗尽型晶体管和增强型晶体管，所述增强型晶体管包括栅极，所述耗尽型晶体管包括沟道，其中，所述耗尽型晶体管的栅极被电连接到所述增强型晶体管的源极，并且所述耗尽型晶体管的源极被电连接到所述增强型晶体管的漏极；

其中，所述开关装置被构造以使得：在第一工作模式下，当所述增强型晶体管的栅极被偏置成低于所述增强型晶体管的阈值电压时，电流沿第一方向流过所述耗尽型晶体管的沟道，并且在第二工作模式下，当所述增强型晶体管的栅极被偏置成高于所述增强型晶体管的所述阈值电压时，电流沿所述第一方向流过所述耗尽型晶体管的沟道。

11.根据权利要求10所述的电路，其中所述开关装置被构造以使得：在第三工作模式下，所述耗尽型晶体管沿第二方向阻挡施加在所述开关装置两端的电压。

12.根据权利要求10所述的电路，其中所述电路包括半桥，并且所述开关装置是所述半桥的开关。

13.根据权利要求10-12中任何一项所述的电路，所述耗尽型晶体管是II-N HEMT。

14.根据权利要求13所述的电路，所述增强型晶体管是Si MOS晶体管。