[发明专利]计量图案布局及其使用方法

说明书

技术领域

本发明通常涉及电路结构的制造，尤其涉及用于电路结构的计量图案布局。

背景技术

制造集成电路通常需要在晶圆上或晶圆上方的一个或多个层上形成多个集成电路结构。这些结构常常通过光刻制程形成。该光刻制程可包括光罩(reticle)(也被称为掩膜或光掩膜)，紫外光透过该光罩传输至晶圆。该光罩阻挡在要保持不被蚀刻的晶圆区域中的光线，并允许光线通过将要被蚀刻的区域。光刻制程可能还需要计量(metrology)步骤，以确保层内或层间结构的适当尺寸设定及对准。不仅在晶圆上测量对准需要计量，而且在光罩上需要计量。一般来说，可独立于晶圆计量来执行光罩计量。不过，可能难以或者不可能使光罩计量数据与晶圆计量数据准确关联。因此，仍需要工具来使光罩计量与晶圆计量关联，以进行更精确的电路结构制造。

发明内容

为克服现有技术的缺点并提供额外的优点，在一个态样中提供一种结构。该结构包括：用于电路结构的计量图案布局，包括有利于布置多个计量图案的多个象限，包括：用于第一晶圆测量图案的第一象限；用于第二晶圆测量图案的第二象限；用于光罩对位图案的第三象限；用于光罩测量图案的第四象限；其中，该多个象限的布置有利于将自该第一及第二晶圆测量图案获得的数据与自该光罩测量图案及该光罩对位图案获得的数据关联。

在另一个态样中，这里还提供一种方法。该方法包括：将要应用于光罩的光学邻近校正过程，包括：提供输入图形数据；提供光学邻近校正及图案保护的一个或多个规则，其中，该一个或多个规则适用于该光罩的设计图案；自计量图案布局获得光罩测量图案；分类该光罩测量图案；将偏置补偿表应用于该一个或多个规则，该偏置补偿表是依据该光罩测量图案的该分类来选择的；以及提供输出图形数据。

通过本发明的技术实现额外的特征及优点。这里详细说明本发明的其它实施例及态样，作为请求保护的发明的一部分。

附图说明

本发明的一个或多个态样被特别指出并在说明书的结束处的声明中被明确称为示例。结合附图参照下面的详细说明可清楚本发明的上述及其它目的、特征以及优点，其中：

图1A显示依据本发明的一个或多个态样的计量图案布局的一个示例实施例；

图1B显示依据本发明的一个或多个态样的图1A的计量图案布局，在该计量图案布局中布置有示例计量图案；

图2A显示依据本发明的一个或多个态样的计量图案布局的另一个示例实施例；

图2B显示依据本发明的一个或多个态样的图2A的计量图案布局，在该计量图案布局中设置有示例计量图案；

图2C显示依据本发明的一个或多个态样的图2B的计量图案布局以及计量图案，其中，光罩测量图案包括最外结构元件，以在光学邻近校正过程中保护该图案免受修改；

图2D显示依据本发明的一个或多个态样旋转90°以后的图2C的计量图案布局；

图2E显示依据本发明的一个或多个态样的图2A的计量图案布局，在该计量图案布局内布置有另一组计量图案；

图3A显示依据本发明的一个或多个态样的计量图案布局的一个实施例，其中，该计量图案布局包括用于额外计量图案的十字形划线区；

图3B显示依据本发明的一个或多个态样的计量图案布局的另一个实施例，其中，该计量图案布局包括方形划线区，其形成该计量图案布局的其余部分的边界，该划线区包括一个或多个额外计量图案；

图4A显示依据本发明的一个或多个态样的计量图案布局的一个实施例，其中，该计量图案布局容置多个计量图案，以测量双重图案化制程的曝光层的对准；

图4B显示依据本发明的一个或多个态样的图4A的计量图案布局，其仅包括与双重图案化制程的第一曝光层对应的计量图案；

图4C显示依据本发明的一个或多个态样的图4A的计量图案布局，其仅包括与双重图案化制程的第二曝光层对应的计量图案；

图5A显示依据本发明的一个或多个态样的计量图案布局的一个实施例，在该计量图案布局的划线区内布置有额外计量图案示例组；

图5B显示依据本发明的一个或多个态样的图5A的计量图案布局，该计量图案布局的划线区内布置有额外计量图案替代示例组；以及

图6总结依据本发明的一个或多个态样的包括光学邻近校正过程的方法，其中，使用光罩测量图案来提供该光学邻近校正过程的一个或多个规则。

具体实施方式