[发明专利]防篡改熔丝设计在审
申请号: | 201510145619.6 | 申请日: | 2010-12-08 |
公开(公告)号: | CN104867519A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | X·宋;Z·陈;Z·马;K·D·约翰逊;J·何;K·X·张 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C8/20 | 分类号: | G11C8/20;G11C17/16;H01L23/525 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘瑜;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 篡改 设计 | ||
1.一种装置,包括:
集成电路器件中的用于存储值的多个熔丝;以及
与所述熔丝并联的多个电阻器,其中每个熔丝包括用于在该熔丝周围提供电势耗散路径的并联电阻器。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电阻器包括具有比原始熔丝高的电阻值并具有比开路电路低的电阻值的熔丝。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电阻器包括金属导线。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述金属导线包括铂。
5.根据权利要求3所述的装置,其中,所述金属导线包括钨。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述熔丝包括反熔丝。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述电阻器包括具有比熔断反熔丝高的电阻值并具有比开路电路低的电阻值的熔丝。
8.一种微处理器,包括:
处理数据的处理单元;
存储值的多个熔丝;以及
与所述熔丝并联的多个电阻器,其中每个熔丝包括用于在该熔丝周围提供电势耗散路径的并联电阻器。
9.根据权利要求8所述的微处理器,其中,所存储的值包括加密密钥。
10.根据权利要求8所述的微处理器,其中,所述电阻器包括具有比原始熔丝高的电阻值并具有比开路电路低的电阻值的熔丝。
11.根据权利要求10所述的微处理器,其中,所述电阻器和所述熔丝包括不同金属的导线。
12.根据权利要求11所述的微处理器,其中,所述电阻器包括从由铂和钨构成的组中选出的金属。
13.根据权利要求8所述的微处理器,其中,所述熔丝包括反熔丝。
14.根据权利要求13所述的微处理器,其中,所述电阻器包括具有比熔断反熔丝高的电阻值并具有比开路电路低的电阻值的熔丝。
15.一种系统,包括:
网络控制器;
系统存储器;以及
微处理器,其中所述微处理器包括:
处理数据的处理单元;
存储值的多个熔丝;以及
与所述熔丝并联的多个电阻器,其中每个熔丝包括用于在该熔丝周围提供电势耗散路径的并联电阻器。
16.根据权利要求15所述的系统,其中,所存储的值包括加密密钥。
17.根据权利要求15所述的系统,其中,所述电阻器包括具有比原始熔丝高的电阻值并具有比开路电路低的电阻值的熔丝。
18.根据权利要求17所述的系统,其中,所述电阻器和所述熔丝包括不同金属的导线。
19.根据权利要求18所述的系统,其中,所述电阻器包括从由铂和钨构成的组中选出的金属。
20.根据权利要求15所述的系统,其中,所述熔丝包括反熔丝,并且其中,所述电阻器包括具有比熔断反熔丝高的电阻值并具有比开路电路低的电阻值的熔丝。
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