[发明专利]互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510146587.1 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633012A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;朱慧珑;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造互连结构的方法，包括：
在电介质层中形成沟槽；
向沟槽中填充导电材料粉末；以及
对填充的导电材料粉末进行激光退火，以形成导电材料层，所述导 电材料层形成所述互连结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，分多次向沟槽中填充导电材 料粉末，且在每次填充后进行激光退火，直至形成的导电材料层填满沟 槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在填充导电材料粉末之前， 该方法还包括：
在沟槽中形成阻挡层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，阻挡层包括紧致电介质层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，导电材料粉末包括Cu、Ag 和A1中至少之一。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：去除沟槽外存在的导电材 料粉末。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，利用胶带进行去除。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，激光退火局限于沟槽所在的 区域。
9.根据权利要求2所述的方法，其中，每次填充的导电材料粉末大 致均匀地分布于沟槽中。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述互连结构包括过孔、 接触部和互连线中至少之一。
11.一种互连结构，包括实质上无空洞和毛孔的导电材料。
12.根据权利要求11所述的互连结构，其中，所述导电材料包括熔 融后再结晶的导电材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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