[发明专利]芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种芯片接合薄膜，其特征在于，波长1065nm下的透光率为80％以上，所述芯片接合薄膜含有热塑性树脂、热固性树脂、填料和软化点为-15℃以上的酚醛树脂，所述热塑性树脂的含量为40.7重量％以上且90重量％以下，所述热固性树脂的含量为大于10重量％且70重量％以下，所述填料的平均粒径为0.001～1μm。

2.一种带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，其在切割片上设置有权利要求1所述的芯片接合薄膜，

所述带切割片的芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为50％以上。

3.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂应力为50N/mm²以下。

4.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合薄膜在-15℃下的拉伸断裂伸长率为30％以下。

5.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合薄膜的损耗角正切tanδ的峰值温度为-15℃以上且低于50℃。

6.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合薄膜含有将单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物，所述单体原料以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。

7.根据权利要求2所述的带切割片的芯片接合薄膜，其特征在于，所述切割片由基材和粘合剂层构成，

所述粘合剂层含有将单体原料聚合而得到的丙烯酸类共聚物，所述单体原料以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。

8.一种半导体装置，其特征在于，其是使用权利要求1所述的芯片接合薄膜、或权利要求2～7中任一项所述的带切割片的芯片接合薄膜而制造的。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法使用了权利要求2～7中任一项所述的带切割片的芯片接合薄膜，该方法包括如下工序：

工序A，在半导体晶圆的背面贴合所述带切割片的芯片接合薄膜；

工序B，从所述带切割片的芯片接合薄膜侧对所述半导体晶圆照射激光，在所述半导体晶圆的预分割线上形成改性区域；

工序C，通过对所述带切割片的芯片接合薄膜施加拉伸张力，使所述半导体晶圆和构成所述带切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜沿所述预分割线断裂，形成半导体芯片。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其具有如下工序：

工序A-1，在半导体晶圆的表面粘贴背面磨削带；

工序A-2，在所述背面磨削带的保持下进行所述半导体晶圆的背面磨削，

在所述工序A-1和所述工序A-2之后进行所述工序A～所述工序C。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括在所述工序B之后将所述背面磨削带从所述半导体晶圆剥离的工序B-1，

在所述工序B-1之后进行所述工序C。