[发明专利]芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。

技术领域

本发明涉及芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，在半导体装置的制造中，有时使用带切割片的芯片接合薄膜。带切割片的芯片接合薄膜是在切割片上可剥离地设置芯片接合薄膜而得到的。在半导体装置的制造中，在带切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上保持半导体晶圆，对半导体晶圆进行切割而制成各个芯片。然后，将芯片与芯片接合薄膜一同从切割片剥离，借助芯片接合薄膜使其粘接于引线框等被粘物。

使用在切割片上层叠有芯片接合薄膜的带切割片的芯片接合薄膜，并在芯片接合薄膜的保持下切割半导体晶圆时，需要将该芯片接合薄膜与半导体晶圆同时切断。然而，在使用金刚石刀片的通常的切割方法中，会担心切割时产生的热的影响造成的芯片接合薄膜与切割片的粘连、切削屑的产生造成的半导体芯片彼此的粘接、切削屑附着在半导体芯片侧面等，因此需要降低切断速度，导致成本的上升。

因此，近年提出了如下的方法：通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆可沿预分割线容易地分割，然后通过施加拉伸张力而使该半导体晶圆断裂，得到各个半导体芯片(例如参见专利文献1、以及专利文献2，以下也称为“隐形切割(Stealth Dicing，注册商标)”)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-192370号公报

专利文献2：日本特开2003-338467号公报

发明内容

发明要解决的问题

另一方面，近年来，作为由半导体晶圆得到单个的半导体芯片的方法，考虑了如下的方法：首先，从半导体晶圆的背面(非电路形成面)照射激光，在前述半导体晶圆的预分割线上形成改性区域，然后，为了制成薄型而进行半导体晶圆的背面磨削，然后在半导体晶圆的背面贴合带切割片的芯片接合薄膜。然而，该方法中，存在有时会在半导体晶圆的背面磨削的阶段中产生裂纹、破损的问题。

本发明是鉴于前述问题而作出的，其目的在于提供芯片接合薄膜和带切割片的芯片接合薄膜，所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。另外，提供使用该芯片接合薄膜、或该带切割片的芯片接合薄膜制造的半导体装置。另外，提供使用该带切割片的芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本申请发明人等为了解决前述以往的问题而对芯片接合薄膜进行了研究。其结果发现，通过采用下述构成，即使在得到薄型的半导体芯片的情况下，也可抑制半导体晶圆产生裂纹、破损，从而完成了本发明。

即，本发明的芯片接合薄膜的特征在于，波长1065nm下的透光率为80％以上。

根据前述构成，由于芯片接合薄膜的波长1065nm下的透光率为80％以上，因此贴附于半导体晶圆后，能够从芯片接合薄膜侧照射激光(例如，在波长1065nm附近具有峰的激光)而在半导体晶圆的预分割线上形成改性区域。并且，在这之后，能够使其沿前述预分割线断裂。