[发明专利]化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法在审
| 申请号： | 201510147968.1 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104726936A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 许小勇;周钢;冯兵;王亚丽;包志佳;胡经国 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/64;C30B25/00 |
| 代理公司： | 南京中新达专利代理有限公司 32226 | 代理人： | 孙鸥;朱杰 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 制备 交相 moo3 纳米 方法 | ||
1.化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法，其特征在于步骤如下：
(1)对石英衬底进行表面清洗处理：先后放入丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗，取出后用氮气吹干；
(2)取MoS2粉末0.2-0.5g作为原料放入陶瓷舟里，将其放在管式炉石英管中，将清洗过的石英衬底放置在装有原料的陶瓷舟的下风口；
(3)封闭管式炉，通氩气冲洗管式炉；
(4)清洗完毕后，通入氩气和氧气的混合气体，打开真空机械泵；
(5)开启管式炉升温程序，使温度上升，然后自然降温，待冷却至室温，取出样品，石英衬底上生长了白色产物，即为单晶MoO3纳米片。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法，其特征在于步骤(1)中超声清洗10-15min。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法，其特征在于步骤(2)中石英衬底放置在装有原料的陶瓷舟的下风口，相距13-17cm。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法，其特征在于步骤(2)中将原料放入陶瓷舟里并置于管式炉石英管温度最高点。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法，其特征在于步骤(3)中冲洗管式炉10-20min，流量设置为500-530sccm。
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法，其特征在于步骤(4)中氩气流量设置为26-30sccm，氧气流量设置为4-8sccm，打开真空机械泵将管式炉气压抽至7-9×10-2Torr。
7.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备正交相MoO3单晶纳米片方法，其特征在于步骤(5)中升温速率为8-15℃/min，温度升至850-900℃，并保持16-20min后自然降温。
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