[发明专利]有机EL装置的制造方法、有机EL装置、电子设备有效

专利信息
申请号: 201510148092.2 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN104979493B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 花村雄基 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 el 装置 制造 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种有机EL装置的制造方法,其特征在于,具有:

在第一基板上形成有机EL元件和安装端子的工序;

以至少覆盖所述有机EL元件和所述安装端子的方式形成密封膜的工序;

经由填充剂相对于所述第一基板贴合第二基板的工序;以及

通过使用了蚀刻气体的干式蚀刻对所述密封膜进行蚀刻以使所述安装端子的至少一部分露出的工序,

所述密封膜以氮氧化硅膜为主要成分,

在对所述密封膜进行蚀刻的工序中,将石英玻璃的所述第二基板作为掩模来使用。

2.根据权利要求1所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,

具有在所述第二基板上形成保护部件的工序。

3.根据权利要求2所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,

所述保护部件是感光性树脂。

4.根据权利要求2所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,

所述密封膜和所述保护部件以相同材料为主要成分。

5.根据权利要求2所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,

所述保护部件包含氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜中的任意一种。

6.根据权利要求2所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,

所述密封膜的蚀刻速率比所述保护部件的蚀刻速率大。

7.根据权利要求6所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,

所述密封膜以氮化硅膜为主要成分,所述保护部件是氧化硅膜。

8.根据权利要求2~7中任意一项所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,

所述保护部件的厚度比覆盖所述安装端子的部分的所述密封膜的厚度厚。

9.一种有机EL装置的制造方法,其特征在于,具有:

在第一基板上形成有机EL元件和安装端子的工序;

以至少覆盖所述有机EL元件和所述安装端子的方式形成密封膜的工序;

经由填充剂相对于所述第一基板贴合第二基板的工序;以及

通过使用了蚀刻气体的干式蚀刻对所述密封膜进行蚀刻以使所述安装端子的至少一部分露出的工序,

在对所述密封膜进行蚀刻的工序中,将覆盖所述第二基板的至少一部分的保护部件作为掩模来使用,

所述第二基板是以氧化硅为主要成分且含有氧化硅以外的成分的玻璃,所述保护部件是氧化硅膜。

10.根据权利要求9所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,

所述保护部件的厚度比覆盖所述安装端子的部分的所述密封膜的厚度厚。

11.一种电子设备,其特征在于,

具备使用权利要求1~10中任意一项所述的有机EL装置的制造方法而形成的有机EL装置。

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