[发明专利]有机EL装置的制造方法、有机EL装置、电子设备有效
申请号: | 201510148092.2 | 申请日: | 2015-03-31 |
公开(公告)号: | CN104979493B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 花村雄基 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种有机EL装置的制造方法,其特征在于,具有:
在第一基板上形成有机EL元件和安装端子的工序;
以至少覆盖所述有机EL元件和所述安装端子的方式形成密封膜的工序;
经由填充剂相对于所述第一基板贴合第二基板的工序;以及
通过使用了蚀刻气体的干式蚀刻对所述密封膜进行蚀刻以使所述安装端子的至少一部分露出的工序,
所述密封膜以氮氧化硅膜为主要成分,
在对所述密封膜进行蚀刻的工序中,将石英玻璃的所述第二基板作为掩模来使用。
2.根据权利要求1所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
具有在所述第二基板上形成保护部件的工序。
3.根据权利要求2所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
所述保护部件是感光性树脂。
4.根据权利要求2所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
所述密封膜和所述保护部件以相同材料为主要成分。
5.根据权利要求2所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
所述保护部件包含氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜中的任意一种。
6.根据权利要求2所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
所述密封膜的蚀刻速率比所述保护部件的蚀刻速率大。
7.根据权利要求6所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
所述密封膜以氮化硅膜为主要成分,所述保护部件是氧化硅膜。
8.根据权利要求2~7中任意一项所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
所述保护部件的厚度比覆盖所述安装端子的部分的所述密封膜的厚度厚。
9.一种有机EL装置的制造方法,其特征在于,具有:
在第一基板上形成有机EL元件和安装端子的工序;
以至少覆盖所述有机EL元件和所述安装端子的方式形成密封膜的工序;
经由填充剂相对于所述第一基板贴合第二基板的工序;以及
通过使用了蚀刻气体的干式蚀刻对所述密封膜进行蚀刻以使所述安装端子的至少一部分露出的工序,
在对所述密封膜进行蚀刻的工序中,将覆盖所述第二基板的至少一部分的保护部件作为掩模来使用,
所述第二基板是以氧化硅为主要成分且含有氧化硅以外的成分的玻璃,所述保护部件是氧化硅膜。
10.根据权利要求9所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
所述保护部件的厚度比覆盖所述安装端子的部分的所述密封膜的厚度厚。
11.一种电子设备,其特征在于,
具备使用权利要求1~10中任意一项所述的有机EL装置的制造方法而形成的有机EL装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择