[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201510148624.2 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633158B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;罗军;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体层上形成沿第一方向延伸的多条鳍线，在鳍线上生长晶体停止层，并在该晶体停止层上生长晶体牺牲栅层；
将牺牲栅层构图为沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个牺牲栅极线，以形成牺牲栅；
在牺牲栅的侧壁上形成栅侧墙；
选择性去除栅侧墙内侧的牺牲栅，在栅侧墙内侧形成孔；以及
在孔中填充栅介质层和栅导体层，形成栅堆叠；
其中，所述停止层被选择性地去除后，在最终制得的器件中得以保留。
2.根据权利要求1所述的方法，形成孔的操作还包括：进一步选择性去除栅侧墙内侧的停止层部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，半导体层包括Si，停止层包括晶体Ge或SiGe，牺牲栅层包括晶体Si或SiGe。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层是绝缘体上半导体SOI衬底的SOI层，其中SOI衬底包括支撑衬底、埋入绝缘层和所述SOI层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成鳍线包括：
对SOI层进行刻蚀，其中，各鳍线之间的SOI层没有刻断，从而在形成鳍线之后留有一定厚度的SOI层在埋入绝缘层上各鳍线之间延伸。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
在预定区域处，形成器件间绝缘隔离部，其中至少一条栅极线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分，且至少一条鳍线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成器件间绝缘隔离部包括：在所述预定区域处刻蚀出空隙，其中刻蚀停止于埋入绝缘层。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述空隙处填充电介质材料。
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