[发明专利]抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法及电子陶瓷元件有效
| 申请号： | 201510150346.4 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104788127B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 成学军;王清华 | 申请（专利权）人： | 深圳顺络电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/54 | 分类号： | C25D5/54;C04B41/85 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 杨洪龙 |
| 地址： | 518110 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 电子陶瓷 元件 表面 处理 方法 | ||
1.一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、配制表面处理溶液：将混合物料与水混合均匀，得到所述表面处理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；
S2、表面处理：将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡，使所述电子陶瓷元件表面生成保护膜；
S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净，并对所述电子陶瓷元件进行烘干；
S4、烧结：将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。
2.如权利要求1所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，所述混合物料中各成分的重量百分比为：Fe3(PO4)2：50％～80％、MnPO4：5％～20％、NaNO3：1.0％～20％、Y2O3：0.01％～18％、H3PO4：0.01％～15％、NaClO3：0.5％～10％以及Na2MoO4：0.01％～18％。
3.如权利要求2所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，步骤S1中所述水为去离子水。
4.如权利要求2所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，所述表面处理液的PH值范围为1.0～5.5。
5.如权利要求1所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，步骤S2中所述浸泡包括：将所述电子陶瓷元件放入30-90℃的所述表面处理溶液中浸泡3～30分钟。
6.如权利要求1所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，步骤S3中所述烘干包括：将所述电子陶瓷元件放入烘干箱在温度80～130℃下烘干20～30分钟。
7.如权利要求1所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，步骤S4中所述烧结包括：将所述电子陶瓷元件放入550～750℃的烧结炉中烧结1～3小时。
8.一种电子陶瓷元件，其特征是，通过如下方法制造：
S1、配制表面处理溶液：将混合物料与水混合均匀，得到所述表面处理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；
S2、表面处理：将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡，使所述电子陶瓷元件表面生成保护膜。
9.如权利要求8所述的电子陶瓷元件，其特征是：
所述混合物料中各成分的重量百分比为：Fe3(PO4)2：50％～80％、MnPO4：5％～20％、NaNO3：1.0％～20％、Y2O3：0.01％～18％、H3PO4：0.01％～15％、NaClO3：0.5％～10％以及Na2MoO4：0.01％～18％。
10.如权利要求8所述的电子陶瓷元件，其特征是，还包括如下步骤：
S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净，并对所述电子陶瓷元件进行烘干；
S4、烧结：将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。
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