[发明专利]抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法及电子陶瓷元件有效

专利信息
申请号: 201510150346.4 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN104788127B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 成学军;王清华 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: C25D5/54 分类号: C25D5/54;C04B41/85
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 代理人: 杨洪龙
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 抑制 电子陶瓷 元件 表面 处理 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子元件制造领域,特别是涉及一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法。

背景技术

随着电子信息业的迅猛发展,片式电子陶瓷元件得到广泛的应用,越来越多的元件实现了片式化、小型化。片式元件通常由元件基片、内部电极和端电极构成,为了提高元件的焊接性,需在端电极表面镀上一层镍层和一层锡层,但在电镀过程中产品表面也容易镀上镍层和锡层,造成产品外观不良和表层导通短路,从而导致产品应用不良。

发明内容

研究发现,由于许多片式元件的电子材料电阻率较低,甚至具有半导体特性,所以在电镀过程中产品表面也容易镀上镍层和锡层。本发明目的在于提出一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法,以解决上述现有技术存在的电镀易产生爬镀的技术问题。

为此,本发明提出一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法,包括以下步骤:

S1、配制表面处理溶液:将混合物料与水混合均匀,得到所述表面处理溶液,所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4

S2、表面处理:将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡,所述电子陶瓷元件表面生成保护膜;

S3、清洗、烘干:将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净,并将所述电子陶瓷元件完全烘干;

S4、烧结:将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。

优选地,所述混合物料中各成分的重量百分比为:Fe3(PO4)2:50%~80%、MnPO4:5%~20%、NaNO3:1.0%~20%、Y2O3:0.01%~18%、H3PO4:0.01%~15%、NaClO3:0.5%~10%以及Na2MoO4:0.01%~18%。

优选地,步骤S1中所述水为去离子水。

优选地,所述表面处理液的PH值范围为1.0~5.5。

优选地,步骤S2中所述浸泡包括:将所述电子陶瓷元件放入30~90℃的所述表面处理溶液中浸泡3~30分钟。

优选地,步骤S3中所述烘干包括:将所述电子陶瓷元件放入烘干箱在温度80~130℃下烘干20~30分钟。

优选地,步骤S4中所述烧结包括:将所述电子陶瓷元件放入550~750℃的烧结炉中烧结1~3小时。

本发明还提供了一种电子陶瓷元件,通过如下方法制造:

S1、配制表面处理溶液:将混合物料与水混合均匀,得到所述表面处理溶液,所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4

S2、表面处理:将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡,使所述电子陶瓷元件表面生成保护膜。

在一个实施例中,

所述混合物料中各成分的重量百分比为:Fe3(PO4)2:50%~80%、MnPO4:5%~20%、NaNO3:1.0%~20%、Y2O3:0.01%~18%、H3PO4:0.01%~15%、NaClO3:0.5%~10%以及Na2MoO4:0.01%~18%。

在一个实施例中,

还包括如下步骤:

S3、清洗、烘干:将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净,并对所述电子陶瓷元件进行烘干;

S4、烧结:将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。

本发明提出的表面处理方法在电子陶瓷元件产品电镀前使用一种表面处理液对产品进行表面处理,通过化学反应,使产品表面形成一层高电阻率的保护膜,增加产品表面电阻,从而抑制电子陶瓷元件产品电镀时发生爬镀。

附图说明

图1是本实施例电子陶瓷元件生成的保护膜的微观表面晶相结构;

图2是本发明一种实施例的具有保护膜的电子陶瓷元件电镀后的结构示意图;

图3是现有的不具有保护膜的电子陶瓷元件电镀后的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细说明。应该强调的是,下述说明仅仅是示例性的,而不是为了限制本发明的范围及其应用。

实施例一:

本发明提出一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法,包括以下步骤:

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