[发明专利]用于形成互连的方法有效
申请号: | 201510154527.4 | 申请日: | 2015-04-02 |
公开(公告)号: | CN104979278B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 罗伊·沙维夫 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 形成 互连 方法 | ||
1.一种在工件中形成由金属化线和过孔组成的互连的方法,所述方法包括:
(a)在工件之上施加光刻胶,和在所述光刻胶上图案化金属线的沟槽;
(b)通过图案化蚀刻在所述工件中蚀刻出所述沟槽;
(c)在所述工件中形成金属线,其中所述金属线设置在纵向间隔开的线段中,所述线段彼此端对端地间隔开;和
(d)在所述工件中形成过孔,其中其中至少一个形成的过孔在第一形成的金属线的端部与第二形成的金属线的端部之间向下延伸。
2.一种在工件中形成包括沟槽和过孔的互连的方法,所述方法包括:
在所述工件上施加介电膜堆叠;
在所述介电膜堆叠之上施加硬掩模;
在所述硬掩模之上施加光刻胶;
在所述光刻胶中图案化沟槽,所述沟槽在彼此端对端设置的纵向区段中被图案化,所述区段在将要安置过孔的位置处彼此纵向地间隔开;
蚀刻出沟槽至所述介电膜堆叠中;
用导电材料填充所述沟槽;
在将纵向相关的填充的沟槽的端部分离的间隙中图案化过孔;
蚀刻出所述工件中的所述图案化的过孔;和
用所述导电材料填充所述过孔。
3.一种在工件中形成包括沟槽和过孔的互连的方法,所述方法包括:
在所述工件上施加介电膜堆叠;
在所述介电膜堆叠之上施加硬掩模;
在所述硬掩模之上施加光刻胶;
在界定间隙的光刻胶中图案化过孔,所述间隙分离过孔;
蚀刻出所述工件中的所述图案化的过孔;
用导电材料填充所述过孔;
在分离所述过孔的所述间隙中图案化沟槽,所述沟槽在分离所述过孔的所述间隙中彼此端对端设置的纵向区段中被图案化,所述区段在所述过孔的位置处彼此纵向地间隔开;
蚀刻出沟槽至所述介电膜堆叠中;和
用导电材料填充所述沟槽。
4.如权利要求2或3所述的方法,其中所述沟槽是通过一工艺来图案化,所述工艺选自以下各工艺组成的组:多重图案化、浸没式平版印刷术、远紫外线平版印刷术和上述工艺的组合。
5.如权利要求2或3所述的方法,进一步包括修复对所述沟槽的损坏,和用烃类前驱物密封所述沟槽。
6.如权利要求4所述的方法,进一步包括修复对所述沟槽的损坏,和用烃类前驱物密封所述沟槽。
7.如权利要求2或3所述的方法,进一步包括在所述沟槽的表面之上沉积阻挡层。
8.如权利要求6所述的方法,进一步包括在所述沟槽的表面之上沉积阻挡层。
9.如权利要求8所述的方法,进一步包括在所述阻挡层之上沉积种晶层。
10.如权利要求9所述的方法,进一步包括用导电材料填充所述沟槽以形成金属线。
11.如权利要求2或3所述的方法,进一步包括热处理所述工件以引起所述导电材料回流至所述沟槽中以产生第一导电层。
12.如权利要求10所述的方法,进一步包括热处理所述工件以引起所述导电材料回流至所述沟槽中以产生第一导电层。
13.如权利要求12所述的方法,进一步包括在所述第一导电层之后沉积至少一个附加导电层,和热处理所述工件以引起每一个附加导电层的回流。
14.如权利要求2或3的任一项所述的方法,进一步包括施加金属材料覆盖层至所述填充的沟槽。
15.如权利要求10、12或13的任一项所述的方法,进一步包括施加金属材料覆盖层至所述填充的沟槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造