[发明专利]测试半导体存储器的方法

权利要求书

1.一种测试半导体存储器的方法，所述方法包括步骤：

根据与第一代对应的多个测试用例对半导体存储器执行测试并且针对所述多个测试用例产生模型化测试结果；

基于模型化测试结果从所述多个测试用例当中确定最优测试用例；以及

基于所述最优测试用例产生与第二代对应的多个测试用例。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定n个最优测试用例，并且

其中，产生与第二代对应的多个测试用例的步骤包括：

基于所述n个最优测试用例当中除第k个最优测试用例以外的至少一个测试用例产生中间测试用例，其中，n是大于等于2的整数，k是最小为1最大为n的整数；以及

通过将所述中间测试用例与第k个最优测试用例再结合产生测试用例。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，与第二代对应的多个测试用例包括各最优测试用例以及分别与各最优测试用例对应的各测试用例。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，与第一代对应的多个测试用例中的每一个测试用例包括多个操作条件，并且半导体存储器包括多个存储块，并且

其中，执行测试并且产生模型化测试结果的步骤包括：

将与第一代对应的多个测试用例中的每一个测试用例的各个操作条件映射至通用内部总线信息；

使用映射的操作条件针对多个测试用例中的每一个测试用例产生测试程序；

根据测试程序对半导体存储器的存储块执行测试；以及

分析对存储块执行测试的结果并且产生模型化测试结果。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，产生测试程序的步骤包括：产生测试程序，使得当对待测试存储块中的存储单元执行测试的测试次数大于正常操作周期时，对另一个存储块执行测试。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，与第一代对应的多个测试用例包括在第一代之前的前一代的各最优测试用例以及分别与前一代的各最优测试用例对应的各测试用例，并且

基于模型化测试结果确定最优测试用例的步骤包括：

将前一代的各最优测试用例中的每一个最优测试用例所对应的模型化测试结果和分别与前一代的各最优测试用例对应的各测试用例中的一个测试用例所对应的模型化测试结果进行比较；以及

根据比较的结果确定针对第一代的最优测试用例。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行测试并产生模型化测试结果的步骤包括：对于与第一代对应的多个测试用例当中的在第一代之前已经产生的测试用例不执行测试。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，模型化测试结果包括半导体存储器的分布特性。

9.一种测试半导体存储器的方法，所述方法包括步骤：

基于模型化测试结果确定最优测试用例，所述模型化测试结果对应于基于与第一代对应的多个测试用例来对半导体存储器执行测试的结果；以及

基于最优测试用例产生与第二代对应的多个测试用例，

其中，与第一代对应的多个测试用例包括在第一代之前的前一代的各最优测试用例以及分别与前一代的各最优测试用例对应的各测试用例，并且

确定最优测试用例的步骤包括：

将前一代的各最优测试用例所对应的模型化测试结果和分别与前一代的各最优测试用例对应的各测试用例所对应的模型化测试结果进行比较；以及

根据比较的结果确定针对第一代的最优测试用例。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，通过多个代递归地执行该方法，并且

根据比较的结果确定最优测试用例的步骤包括：当代为第p代时，将最优测试用例输出为最终的最优测试用例，其中p是正整数。