[发明专利]测试半导体存储器的方法

说明书

本发明提供了一种测试半导体存储器的方法。所述方法包括步骤：根据对应于第一代的多个用例执行测试并且针对所述多个用例产生模型化测试结果；基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及基于所述最优用例产生对应于第二代的多个用例。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年4月2日提交的韩国专利申请No.10-2014-0039435的优先权，该申请的公开内容以引用的方式合并于此。

技术领域

与示例性实施例一致的方法和设备涉及测试半导体存储器，具有而言，涉及半导体存储器测试方法，通过该测试方法提取出针对处于晶片状态下的半导体存储器的最优操作条件。

背景技术

根据中断对器件供电时是否丢失已存储的数据，将半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器的操作模式分为写模式或编程模式、读模式和擦除模式，在写模式或编程模式中将数据存储在存储单元中，在读模式中从存储单元读取数据，在擦除模式中从存储单元擦除已存储的数据。在开发用于有效存储数据的非易失性存储器时，需要考虑这些操作特性和诸如制造工艺特性和结构特性之类的其他各种特性。

在制造非易失性存储器的过程中，在晶片阶段期间执行测试以便了解最优操作条件。在考虑到各种操作条件时，通常依赖于工程师的知识来执行测试，这是因为测试的数量是受限的。结果是，存在有这样的缺点，其中很有可能将与实际上最优的操作条件不同的操作条件选择为最优条件。

发明内容

根据示例性实施例的一个方面，提供一种测试半导体存储器的方法，该方法包括步骤：根据与第一代对应的多个用例对半导体存储器执行测试并且针对所述多个用例中的每一个用例产生模型化测试结果；基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及基于所述最优用例产生与第二代对应的多个用例。

根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种测试半导体存储器的方法，该方法包括步骤：基于模型化测试结果确定最优用例，所述模型化测试结果对应于基于与第一代对应的多个用例来对半导体存储器执行测试的结果；以及基于最优用例产生与第二代对应的多个用例，其中，与第一代对应的多个用例包括在第一代之前的前一代的各最优用例以及分别与前一代的各最优用例对应的各测试用例，并且所述确定最优用例的步骤包括：将前一代的各最优用例所对应的模型化测试结果和分别与前一代的各最优用例对应的各测试用例所对应的模型化测试结果进行比较；以及根据比较的结果确定针对第一代的最优用例。

根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种计算机可读记录介质，其上记录有测试程序，该测试程序包括：测试操作器，其配置为根据与第一代对应的多个用例执行测试并针对所述多个用例产生模型化测试结果；优化器，其配置为基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及用例发生器，其配置为基于最优用例产生与第二代对应的多个用例。

根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种测试装置，其包括：测试操作器，其配置为根据与第一代对应的多个用例执行测试并针对所述多个用例产生模型化测试结果；优化器，其配置为基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及用例发生器，其配置为基于最优用例产生与第二代对应的多个用例。

根据另一个示例性实施例的一个方面，提供一种用于测试半导体存储器的测试装置，该测试装置包括：处理器，其配置为基于输入数据运行测试程序；以及存储器，其配置为存储通过测试程序的运行所产生的输出数据，其中输入数据包括关于下列的信息中的至少之一：半导体存储器的操作条件、各操作条件中的每一个操作条件的变化范围、目标函数(objection function)和最优用例确定次数。