[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

P沟道双扩散金属氧化物半导体晶体管，其具备N型栅电极；

P沟道金属氧化物半导体晶体管，其具备P型栅电极；

N沟道金属氧化物半导体晶体管，其具备N型栅电极，

所述P沟道双扩散金属氧化物半导体晶体管的所述N型栅电极具有：位于所述P沟道双扩散金属氧化物半导体晶体管的源极侧的第一端部；和位于所述P沟道双扩散金属氧化物半导体晶体管的漏极侧的第二端部，并且所述P沟道双扩散金属氧化物半导体晶体管的所述N型栅电极在所述第一端部处具有P型扩散层，

所述P型扩散层在所述N型栅电极的厚度方向上位于从栅极绝缘膜离开的位置处。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第二端部处，具有与所述P沟道双扩散金属氧化物半导体晶体管的所述N型栅电极相比浓度较高的N型扩散层。

3.一种半导体装置的制造方法，包括：

工序(a)，在位于与处在半导体基板的第一方向侧的面的第一N型区的一部分以及第一P型区的一部分相接的位置处的绝缘膜的所述第一方向侧，形成N型栅电极；

工序(b)，通过横跨所述N型栅电极的所述第一方向侧的面的一部分亦即第一区域与所述第一N型区的所述第一方向侧的面的一部分亦即第二区域而注入P型的杂质，从而在所述第一区域形成P型扩散层且在所述第二区域形成源极区，

使所述P型扩散层在所述N型栅电极的厚度方向上位于从栅极绝缘膜离开的位置处。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序(a)与工序(b)之间还具备如下的工序(c)，即，横跨所述第一区域的所述第一方向侧的面和所述第二区域的所述第一方向侧的面而形成抗蚀层，并向第三区域和第四区域注入N型的杂质，并去除抗蚀层，所述第三区域为所述N型栅电极的所述第一方向侧的面的一部分且为与所述第一区域不同的区域，所述第四区域为所述第一N型区的所述第一方向侧的面的一部分且为与所述第二区域不同的区域。

5.如权利要求3或权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，

工序(b)还包括形成P沟道金属氧化物半导体晶体管的源极区以及漏极区的工序。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，

工序(c)还包括形成N沟道金属氧化物半导体晶体管的源极区以及漏极区的工序。