[发明专利]一种免喷漆真空电镀工艺

权利要求书

1.一种免喷漆的真空电镀工艺，其特征在于，步骤为，

第一塑料工件制备：将清洁的塑料工件装入真空设备中抽真空并进行等离子辉光，得到第一塑料工件；

第二塑料工件制备：第一塑料工件进行化学气相沉积聚对二甲苯，使塑料工件的内、外表面形成第一透明有机膜，得到第二塑料工件；

第三塑料工件制备：第二塑料工件进行物理气相沉积金属膜，在化学气相沉积层外表面形成金属装饰膜，得到第三塑料工件；

第四塑料工件制备：第三塑料工件进行化学气相沉积聚氟对二甲苯，在第三塑料工件的内、外表面形成第二透明有机膜，得到第四塑料工件。

2.权利要求1所述免喷漆的真空电镀工艺，其特征在于，所述第一塑料工件制备为，将清洁的塑料工件装入真空设备中，抽真空到1x10^-2pa，充入氩气100SCCM及氧气100SCCM，辉光电压3000V，时间2分钟。

3.权利要求1所述免喷漆的真空电镀工艺，其特征在于，所述第二塑料工件制备的步骤为， 

 A1、将第一塑料工件放入加有聚对二甲苯材料的CVD镀膜机的蒸发室内，当蒸发室内的真空度到达0.8-1.2pa时，将真空镀膜室内的聚对二甲苯升温至120-180℃进行气化升化，速率15-25A/s；优选地，真空度为1pa时，将聚对二甲苯在150℃气化升化，速率20A/s；

A2、升化挥发的气体聚对二甲苯进入裂解室，温度控制在685-705℃，进行裂解催化，速率10-13A/s，得到经高温裂解的单体聚对二甲苯；优选地，裂解室温度控制在695℃，进行裂解催化，速率12A/s；

A3、所述单体聚对二甲苯进入沉积室，温度控制在室温20-25℃，进行低温沉积，速率9-12A/s，沉积时间1-2.5小时，膜厚达3.2-10.8μm；优选地，沉积室温度控制在室温25℃，进行低温沉积，速率10A/s，沉积时间1.5小时，膜厚达5.4μm；得到第二塑料工件；

所述蒸发室，裂解室和沉积室的三个室体是相通的。

4.权利要求3所述免喷漆的真空电镀工艺，其特征在于，所述聚对二甲苯为N型聚对二甲苯。

5.权利要求1所述免喷漆的真空电镀工艺，其特征在于，所述第三塑料工件制备的步骤为， 

B1、将第二塑料工件在物理气相沉积设备中进行辉光清洗，氩气150-250sccm，偏压2500-3500V，时间4-6min；优选地，氩气300sccm，偏压3000V，时间5min；

B2、再进行溅射沉积钛或铬合金，条件为氩气50-150sccm，偏压100-150V，时间1-5min；优选地，氩气100sccm，偏压120V，时间2min，溅射钛或铬电流20-60A；

B3、再进行溅射反应沉积氮化钛或氮化铬合金，氮气50-150sccm，时间1-5min；优选地，氮气100sccm，时间3min，溅射钛或铬电流20-60A；得到第三塑料工件。

6. 权利要求1所述免喷漆的真空电镀工艺，其特征在于，所述第四塑料工件制备的步骤为， 

C1、将第一塑料工件放入加有聚氟对二甲苯材料的CVD镀膜机的蒸发室内，当蒸发室内的真空度到达0.8-1.2pa时，将真空镀膜室内的聚氟对二甲苯升温至120-180℃进行气化升化，速率15-25A/s；优选地，真空度为1pa时，将聚氟对二甲苯在150℃气化升化，速率20A/s；

C2、升化挥发的气体聚氟对二甲苯进入裂解室，温度控制在685-705℃，进行裂解催化，速率10-13A/s，得到经高温裂解的单体聚氟对二甲苯；优选地，裂解室温度控制在695℃，进行裂解催化，速率12A/s；

C3、所述单体聚氟对二甲苯进入沉积室，温度控制在室温20-25℃，进行低温沉积，速率9-12A/s，沉积时间1-2.5小时，膜厚达3.2-10.8μm；优选地，沉积室温度控制在室温25℃，进行低温沉积，速率10A/s，沉积时间1.5小时，膜厚达5.4μm；得到第四塑料工件；

所述蒸发室，裂解室和沉积室的三个室体是相通的。

7.权利要求6所述免喷漆的真空电镀工艺，其特征在于，所述第四塑料工件制备的步骤中，所述聚氟对二甲苯为八氟聚对二甲苯及四氟聚对二甲苯。