[发明专利]液晶面板的像素缺陷修复方法及液晶面板有效
申请号: | 201510162678.4 | 申请日: | 2015-04-08 |
公开(公告)号: | CN104777635B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 衣志光 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶面板 修复 像素单元 暗点化 像素缺陷修复 缺陷类型 子像素缺陷 主像素 产品品质 像素缺陷 子像素 生产成本 | ||
1.一种液晶面板的像素缺陷修复方法,包括如下步骤:
提供一液晶面板,该液晶面板包括多个像素单元,每一所述像素单元包括一主像素和一子像素,多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷;所述主像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容及第一存储电容,所述第一薄膜晶体管具有第一漏极及第一源极,所述第一液晶电容的一端电连接于所述第一漏极,另一端与一第一公共电极电性连接,所述第一漏极与所述第一存储电容的一端电性连接,所述第一存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接;所述子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容及第三薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管具有第二漏极和第二源极,所述第二液晶电容的一端电性连接所述第二漏极,另一端与所述第一公共电极电性连接,所述第二源极用于与所述数据线电性连接,所述第二漏极与所述第二存储电容的一端以及所述第三薄膜晶体管的第三源极电性连接,所述第三薄膜晶体管包括第三源极及第三漏极,所述第二存储电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接;判断具有缺陷的像素单元的缺陷类型并进行暗点化修复,当缺陷类型为主像素缺陷时,采用第一修复方法进行暗点化修复;所述第一修复方法为:将所述第一薄膜晶体管的第一漏极的接线切断,并将所述第一存储电容的两端焊接短路;当缺陷类型为子像素缺陷时,采用第二修复方法进行暗点化修复;所述第二修复方法为:将所述第二薄膜晶体管的第二漏极连接线、第三薄膜晶体管的第三漏极连接线及第三薄膜晶体管的第三源极连接线切断,并将所述第二存储电容的两端焊接短路。
2.如权利要求1所述的液晶面板的像素缺陷修复方法,其特征在于:所述第一薄膜晶体管具有第一栅极,所述第一栅极用于连接一第一栅极线,所述第一源极用于连接一数据线。
3.如权利要求2所述的液晶面板的像素缺陷修复方法,其特征在于:所述第三薄膜晶体管还包括第三栅极,所述第二栅极用于与所述第一栅极线电性连接。
4.如权利要求3所述的液晶面板的像素缺陷修复方法,其特征在于:所述子像素还包括第一分压电容及第二分压电容,所述第三漏极分别与所述第一分压电容的一端以及所述第二分压电容的一端电性连接,所述第三源极分别与所述第二液晶电容的一端以及所述第二存储电容的一端电性连接,所述第三栅极用于与一第二栅极线电性连接,所述第一分压电容的另一端分别与所述第一漏极、所述第一液晶电容的一端以及所述第一存储电容的一端电性连接,所述第二分压电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。
5.如权利要求4所述的液晶面板的像素缺陷修复方法,其特征在于:所述主像素缺陷为所述主像素的第一薄膜晶体管或第一液晶电容出现故障而导致所述像素单元出现的亮点缺陷;所述子像素缺陷为所述子像素的第二薄膜晶体管或第三薄膜晶体管或第二液晶电容出现故障而导致所述像素单元出现的亮点缺陷。
6.一种液晶面板,包括多个像素单元,其特征在于:每一所述像素单元包括一主像素和一子像素,所述主像素和所述子像素相互邻接,多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷,所述主像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容及第一存储电容,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极及第一漏极,所述第一栅极用于连接一第一栅极线,所述第一源极用于连接一数据线,所述第一漏极与所述第一液晶电容的一端以及所述第一存储电容的一端的连接被切断,所述第一液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接,所述第一存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接,且所述第一存储电容的两端被焊接短路。
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