[发明专利]形成具有包括绝缘区的终止区的电子装置的工艺

权利要求书

1.一种形成电子装置的工艺，其包括：

提供基板和上覆所述基板的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和相对表面，其中比起所述主表面，所述基板更接近所述相对表面；

移除所述半导体层的部分以界定第一沟槽，其中所述第一沟槽位于所述电子装置的终止区内；

形成第一绝缘层来填充所述第一沟槽以在所述终止区内形成第一绝缘区，其中所述第一绝缘区延伸到所述半导体层中一定深度，其中所述深度小于所述半导体层的厚度的50％；

在所述终止区中形成第一垂直区，所述垂直区延伸的深度大于所述第一沟槽，其中在成品装置中，所述第一绝缘区布置在所述第一垂直区与电子组件区之间；和

在所述第一绝缘区上形成场电极。

2.根据权利要求1所述的工艺，其还包括：

紧邻所述第一沟槽形成第二沟槽，其中所述第二沟槽具有深度，所述深度小于所述第一沟槽的深度；和

形成第二绝缘层来填充所述第二沟槽以形成第二绝缘区，其中所述第二绝缘区布置在所述第一绝缘区与所述电子装置的电子组件区之间。

3.根据权利要求1所述的工艺，其还包括紧邻所述第一沟槽形成掺杂区，其中所述掺杂区具有在所述第一沟槽的深度的50％到99％的范围中的深度。

4.根据权利要求1所述的工艺，其中所述垂直区延伸到所述基板。

5.根据权利要求1所述的工艺，其还包括：

在所述电子组件区内形成主体区；和

形成第二垂直区，所述第二垂直区布置在所述主体区与所述终止区之间，其中：

所述第二垂直区包括第一垂直掺杂区和第二垂直掺杂区；

在形成时，所述第一垂直掺杂区布置在所述主体区与所述第二垂直掺杂区之间；

所述第一垂直掺杂区具有第一导电类型，且所述主体区和第二垂直掺杂区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；和

在成品装置中，所述主体区和第二垂直掺杂区相互电连接。

6.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其还包括在所述第一绝缘区上形成场电极。

7.根据权利要求6所述的工艺，其还包括在所述场电极和栅电极上形成模制化合物。

8.根据权利要求1到5中任一项所述的工艺，其中所述第一绝缘区具有厚度，所述厚度不大于所述半导体层的厚度的20％。

9.一种形成电子装置的工艺，其包括：

提供基板和上覆所述基板的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和相对表面，其中比起所述主表面，所述基板更接近所述相对表面；

移除所述半导体层的部分以同时界定第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽位于所述电子装置的终止区内，且所述第二沟槽位于所述电子装置的电子组件区内；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上形成栅电极层；

从所述第一沟槽和所述第一和第二沟槽外部的所述半导体层上移除所述栅电极层的部分，其中栅电极形成在所述第二沟槽内；和

形成第一绝缘层来填充所述第一沟槽的剩余部分以在所述终止区内形成第一绝缘区。

10.一种形成电子装置的工艺，其包括：

提供基板和上覆所述基板的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和相对表面，其中比起所述主表面，所述基板更接近所述相对表面；

在所述基板上形成第一抗氧化层；

图案化所述第一抗氧化层以界定开口；

移除所述开口下的所述半导体层的一部分以界定第一沟槽，其中所述第一沟槽位于所述电子装置的终止区内；

在所述第一沟槽内形成第二抗氧化层；

移除沿着所述第一沟槽底部的所述第二抗氧化层的一部分，其中所述第二抗氧化层的剩余部分沿着所述第一沟槽的壁；

热生长第一绝缘层来填充所述第一沟槽的剩余部分以在所述终止区内形成第一绝缘区；和

在所述第一绝缘区上形成场电极。