[发明专利]形成具有包括绝缘区的终止区的电子装置的工艺

说明书

本公开涉及形成具有包括绝缘区的终止区的电子装置的工艺。一种电子装置可包括电子组件和邻近于电子组件区的终止区。在实施方案中，所述终止区可包括延伸到半导体层中一定深度的绝缘区，其中所述深度小于所述半导体层的厚度的50％。在另一实施方案中，所述终止区可包括延伸到所述半导体层中第一深度的第一绝缘区，以及延伸到所述半导体层中第二深度的第二绝缘区，其中所述第二深度小于所述第一深度。在另一方面，一种形成电子装置的工艺可包括图案化半导体层以在终止区内界定沟槽，同时为电子组件区内的电子组件形成另一沟槽。

技术领域

本公开涉及电子装置和形成电子装置的工艺，且更特定地讲，涉及具有包括绝缘区的终止区的电子装置及其形成工艺。

背景技术

一种设计用于高压应用的电子装置包括电子组件区和终止区。电子组件区可包括晶体管、电阻器、电容器、二极管等。终止区用来消耗高压使得电子组件区的部分不处于这种高压下。在封装操作期间，模制化合物可形成在终止区上。移动离子可从模制化合物迁移到终止区内的外延硅层中。移动离子会负面影响电子组件区内的晶体管的漏极源极击穿电压(BV_DSS)。

场板可放置在外延硅层的一部分上来保护这个层不受移动离子影响。场板因厚氧化层而与外延硅层分开，该厚氧化层可沉积在外延硅层上。解决所述问题的另一种尝试是穿过外延硅层的全部或至少多于50％的厚度形成沟槽，且接着用氧化物填充沟槽。对于被设计成在至少500V的电压下操作的电子装置来说，这种替代方案引入了显著的工艺复杂性，这会负面影响产量。

附图说明

实施方案通过举例来进行说明且不受限于附图。

图1包括工件的一部分的截面图的图示，所述工件包括埋置导电区和半导体层。

图2包括在形成终止掺杂区、主体区和连结区之后图1的工件的截面图的图示。

图3包括在图案化半导体层以形成沟槽之后图2的工件的截面图的图示。

图4包括在形成绝缘层和导电层之后图3的工件的截面图的图示。

图5包括在形成栅极介电层和栅电极之后图4的工件的截面图的图示。

图6包括在形成从沟槽移除栅电极层的剩余部分且图案化绝缘层以通过绝缘层界定开口之后图5的工件的截面图的图示。

图7包括在图案化半导体层以界定从主表面朝向埋置导电区延伸的沟槽之后图6的工件的截面图的图示。

图8包括在沟槽内形成掺杂区之后图7的工件的截面图的图示。

图9包括在形成绝缘层使得绝缘柱包括含空隙的缓冲区之后图8的工件的截面图的图示。

图10包括在平面化绝缘层之后图9的工件的截面图的图示。

图11包括在形成图案化平面绝缘层以界定开口和掺杂接触区之后图10的工件的截面图的图示。

图12包括在形成互连件之后图11的工件的截面图的图示。

图13包括在形成大致完整的电子装置之后图12的工件的截面图的图示。

图14包括根据替代实施方案的工件的一部分的截面图的图示，所述工件包括在终止区内的半导体层中不同深度的绝缘区。

图15包括在使用根据替代实施方案的侧壁掩膜隔离技术形成结构之后工件的一部分的截面图图示。

图16包括在氧化半导体层的暴露部分且移除衬垫和抗氧化层之后图15的工件的截面图的图示。

图17包括在形成沟槽、栅极介电层和栅电极之后图6的工件的截面图的图示。