[发明专利]一种4H‑SiCUMOSFET栅槽的制作方法有效
| 申请号： | 201510164939.6 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104851782B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 邓小川;李妍月;户金豹;申华军;萧寒;唐亚超;梁坤元;甘志 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic umosfet 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
A.在位于4H-SiC半导体衬底上的半导体外延层表面生长第一介质层，所述半导体外延层的材料为碳化硅，半导体外延层与半导体衬底的掺杂类型相同；在第一介质层表面生长第二介质层并在第二介质层上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光及显影，形成栅槽区域窗口，去除光刻胶后，以剩下的第二介质层为掩膜刻蚀第一介质层；
B.清除第二介质层，以第一介质层作为刻蚀栅槽掩膜，利用感应耦合等离子体刻蚀技术对半导体外延层进行刻蚀栅槽，所述刻蚀气体包括SF6、O2以及Ar，其中，SF6和Ar的气体流量比例为2:1，O2含量的变化范围为45％～50％；
C.清除第一介质层形成U型栅槽。
2.如权利要求1所述的一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法，其特征在于，步骤B中的刻蚀条件如下：压强为0.3～0.5Pa，温度为20℃，ICP源功率为700～800W，RF功率为100～200W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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