[发明专利]集成电路标准样片特性参量测量装置及方法

权利要求书

1.一种集成电路标准样片特性参量测量装置，其特征在于，其包括如下单元：

管脚划分单元，用于将标准样片的管脚划分为特性参量测量管脚与控制管脚，将特性参量所在的管脚均作为特性参量测量管脚，将余下管脚均作为控制管脚；

信号划分单元，用于以管脚划分单元中对管脚的划分为依据，对应的将管脚信号划分为测量信号与控制信号；其中，测量信号用以形成标准样片的测量回路；控制信号用以形成标准样片的工作回路；

测量回路建立单元，用于建立外接仪表、标准样片、集成电路测试系统分别与特性参量测量板的电连接，控制外接仪表产生测量信号，通过特性参量测量板将测量信号分配到标准样片的特性参量测量管脚上形成标准样片独立的测量回路；

工作回路建立单元，用于通过集成电路测试系统产生控制信号，并通过特性参量测量板将控制信号分配到标准样片的控制管脚上形成标准样片的工作回路；

测量结果获取单元，用于通过使得标准样片在控制信号和测量信号的共同作用下工作，控制外接仪表对标准样片反馈的测量信号进行测定得到特性参量的测量结果。

2.如权利要求1所述的集成电路标准样片特性参量测量装置，其特征在于，所述测量回路建立单元中所述外接仪表包括数字多用表、电压电流源、矩阵开关；矩阵开关分别与数字多用表、电压电流源以及特性参量测量板电连接。

3.如权利要求2所述的集成电路标准样片特性参量测量装置，其特征在于：

数字多用表的分辨率大于等于六位半；

电压电流源输出直流电压、直流电流的噪声值小于输出信号值的万分之一；

矩阵开关为低热电动势的矩阵开关，矩阵开关的热电动势小于10μV，矩阵规模大于6×20。

4.如权利要求3所述的集成电路标准样片特性参量测量装置，其特征在于，所述测量结果获取单元中标准样片在控制信号和测量信号的共同作用下工作，标准样片的测量管脚产生特性参量，数字多用表通过特性参量测量板采集特性参量的标准值，从而得到特性参量的测量结果。

5.一种集成电路标准样片特性参量测量方法，其特征在于，其包括如下步骤：

S1、将标准样片的管脚划分为特性参量测量管脚与控制管脚，将特性参量所在的管脚均作为特性参量测量管脚，将余下管脚均作为控制管脚；

S2、以步骤S1中对管脚的划分为依据，对应的将管脚信号划分为测量信号与控制信号；其中，测量信号用以形成标准样片的测量回路；控制信号用以形成标准样片的工作回路；

S3、建立外接仪表、标准样片、集成电路测试系统分别与特性参量测量板的电连接，控制外接仪表产生测量信号，通过特性参量测量板将测量信号分配到标准样片的特性参量测量管脚上形成标准样片独立的测量回路；

S4、集成电路测试系统产生控制信号，并通过特性参量测量板将控制信号分配到标准样片的控制管脚上形成标准样片的工作回路；

S5、标准样片在控制信号和测量信号的共同作用下工作，控制外接仪表对标准样片反馈的测量信号进行测定得到特性参量的测量结果。

6.如权利要求5所述的集成电路标准样片特性参量测量方法，其特征在于，所述步骤S3中所述外接仪表包括数字多用表、电压电流源、矩阵开关；矩阵开关分别与数字多用表、电压电流源以及特性参量测量板电连接。

7.如权利要求6所述的集成电路标准样片特性参量测量方法，其特征在于：

数字多用表的分辨率大于等于六位半；

电压电流源输出直流电压、直流电流的噪声值小于输出信号值的万分之一；

矩阵开关为低热电动势的矩阵开关，矩阵开关的热电动势小于10μV，矩阵规模大于6×20。

8.如权利要求7所述的集成电路标准样片特性参量测量方法，其特征在于，所述步骤S5包括标准样片在控制信号和测量信号的共同作用下工作，标准样片的测量管脚产生特性参量，数字多用表通过特性参量测量板采集特性参量的标准值，从而得到特性参量的测量结果。