[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510165805.6 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104979384A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 武田恭英;胁田恭之 | 申请（专利权）人： | 株式会社捷太格特 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;苏琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体层；
栅极焊盘，其配置在所述半导体层上，在从所述半导体层的厚度方向观察的俯视时，该栅极焊盘形成于所述半导体层的中央部；以及
多个单位元件，它们形成于所述半导体层，并分别构成作为MOS场效应晶体管元件或者绝缘栅型双极晶体管元件的晶体管元件，在所述俯视时，所述多个单位元件以所述栅极焊盘为中心在辐射方向排列地配置，
在辐射方向排列地配置的所述多个单位元件中接近所述栅极焊盘的一侧的单位元件的栅电极与所述栅极焊盘电连接，在辐射方向相邻的单位元件的栅电极相互连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述单位元件在所述俯视时为多角形状。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述单位元件在所述俯视时为正六角形状。
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