[发明专利]半导体装置

说明书

本申请主张于2014年4月14日提出的日本专利申请2014-083007号的优先权，并在此引用其全部内容。

技术领域

本发明涉及在电机驱动用的逆变电路等中使用的半导体装置。

背景技术

作为电机驱动用的逆变电路等所使用的半导体装置，已知有形成了作为MOS场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管)元件或者绝缘栅型双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)元件的晶体管元件的半导体装置。形成了MOSFET元件的以往的半导体装置俯视时为四角形状，在其一个表面形成源极焊盘以及栅极焊盘，在另一个表面形成漏电极。源极焊盘以覆盖半导体装置的表面的大致整个区域的方式形成，栅极焊盘形成在沿半导体装置的表面的一个角部或者一边的边缘部的中央部。

在半导体装置的内部，分别构成MOSFET元件的多个单位元件配置为矩阵状。与多个单位元件对应的栅电极以包围各单位元件的中央部的方式配置为格子状。栅电极在接近栅极焊盘的部分，与栅极焊盘电连接。(参照日本特开2001－102576号公报、日本特开2005－33073号公报、日本特公平5－63098号公报、日本特开2009－64995号公报)

在上述的以往的半导体装置中，向距离栅极焊盘的距离较远的单位元件的栅极输入信号的信号传播时间较长，所以存在针对栅极输入信号的输出延迟时间较长这样的问题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供能够缩短针对栅极输入信号的输出延迟时间的半导体装置。

本发明的一方式的半导体装置的构成上的特征在于，包含：半导体层；栅极焊盘，其配置在上述半导体层上，在从上述半导体层的厚度方向观察的俯视时，该栅极焊盘形成于上述半导体层的中央部；以及多个单位元件，它们形成于上述半导体层，并分别构成作为MOS场效应晶体管元件或者绝缘栅型双极晶体管元件的晶体管元件，在上述俯视时，上述多个单位元件以上述栅极焊盘为中心在辐射方向排列地配置，在在辐射方向排列地配置的上述多个单位元件中接近上述栅极焊盘的一侧的单位元件的栅电极与上述栅极焊盘电连接，在辐射方向相邻的单位元件的栅电极相互连接。

附图说明

通过以下参照附图对本发明的优选实施方式进行的详细描述，本发明的上述以及其它特征、优点会变得更加清楚，其中，对相同的要素标注相同的附图标记，其中：

图1是本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的示意俯视图。

图2是沿图1的II-II线的示意部分放大剖视图。

图3是表示单元元件的布局的示意部分放大俯视图。

图4是本发明的第二实施方式所涉及的半导体装置的示意俯视图。

图5是沿图4的V-V线的示意部分放大剖视图。

图6是表示单元元件的布局的示意部分放大俯视图。

图7A是表示第一或者第二实施方式所涉及的上述半导体装置安装于布线基板的状态的示意俯视图，图7B是图7A的示意主视图。

图8是表示第三实施方式所涉及的半导体装置的示意立体图。

图9A是表示第三实施方式所涉及的半导体装置安装于布线基板的状态的示意俯视图，图9B是图9A的示意主视图。

图10是用于说明在布线基板安装第三实施方式所涉及的半导体装置时，其旋转量被限制的示意俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。

图1是本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的示意俯视图。图2是沿图1的II-II线的示意部分放大剖视图。图3是表示单元元件的布局的示意部分放大俯视图。但是，在图3中，省略了形成在p^－型主体层6(参照图2)上的结构。

半导体装置1是沟槽型MOSFET，俯视时为圆形的芯片状。在半导体装置1的表面的中央部形成有栅极焊盘2。栅极焊盘2在俯视时，为圆形形状，其中心与半导体装置1的表面的中心一致。在半导体装置1的表面以包围栅极焊盘2的方式形成有源极焊盘3。源极焊盘3俯视时，为圆环状，其中心与半导体装置1的表面的中心一致。在栅极焊盘2与源极焊盘3之间存在有间隔，这些焊盘相互绝缘。