[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201510166098.2 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104766911A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李庆;陈立人;蔡睿彦 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种LED芯片，包括：
衬底；
设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；
设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；
与所述N型半导体层相连的N型电极；
与所述P型半导体层相连的P型电极；
以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述截止引脚为一字形、弧形或一字形和弧形的组合。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述截止引脚为弧形，所述弧形所在圆的圆心位于靠近所述P型电极的一侧。
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层在所述衬底上的形状与所述P型电极、电极引脚和截止引脚共同形成的电极在所述衬底上的形状相同。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层在所述衬底上的面积大于所述P型电极、电极引脚和截止引脚共同形成的电极在所述衬底上的面积。
6.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述弧形所在圆的圆心位于所述电极引脚上。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层为P形GaN，所述N型半导体层为N型GaN。
9.一种LED芯片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上依次形成N型半导体层、发光层和P型半导体层；
图案化工艺刻蚀出N型半导体层；
在P型半导体层上形成电流阻挡层和透明导电层；
形成P型电极和N型电极，所形成的P型电极的端部形成有电极引脚，电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。
10.根据权利要求9所述的LED芯片制造方法，其特征在于，所述截止引脚为一字形、弧形或一字形和弧形的组合。
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