[发明专利]LED芯片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片领域，尤其涉及一种LED芯片及其制造方法。

背景技术

发光二极管（LED，light emitting diode）被称为第四代光源，具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。

随着技术的发展，人们对LED芯片的亮度要求越来越高。常用的LED芯片为追求亮度高，版型设计主要以P电极加上单引脚，透明导电层设计非常薄。这样就导致LED芯片抗静电能力(ESD)介于2500V-4000V(也就是人体模式)，这样的LED芯片抗静电能力较弱，封装应用存在失效风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LED芯片及其制造方法，其具有较好的抗静电能力、更高的可靠性。

为了解决上述技术问题，本发明一实施方式的LED芯片，包括：衬底；

设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；

设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；

与所述N型半导体层相连的N型电极；

与所述P型半导体层相连的P型电极；

以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述截止引脚为一字形、弧形或一字形和弧形的组合。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述截止引脚为弧形，所述弧形所在圆的圆心位于靠近所述P型电极的一侧。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述电流阻挡层在所述衬底上的形状与所述P型电极、电极引脚和截止引脚共同形成的电极在所述衬底上的形状相同。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述电流阻挡层在所述衬底上的面积大于所述P型电极、电极引脚和截止引脚共同形成的电极在所述衬底上的面积。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述弧形所在圆的圆心位于所述电极引脚上。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述衬底为蓝宝石衬底。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述P型半导体层为P形GaN，所述N型半导体层为N型GaN。

为了解决上述技术问题，本发明一实施方式提供一种LED芯片制造方法，其包括以下步骤：

在衬底上依次形成N型半导体层、发光层和P型半导体层；

图案化工艺刻蚀出N型半导体层；

在P型半导体层上形成电流阻挡层和透明导电层；

形成P型电极和N型电极，所形成的P型电极的端部形成有电极引脚，电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述截止引脚为一字形、弧形或一字形和弧形的组合。

与现有技术相比，本申请的LED芯片在P电极引脚的端部设置截至引脚来增加该LED芯片的抗静电能力，从而使该LED芯片具有更高的可靠度。

附图说明

图1为本发明实施例1的LED芯片的侧剖示意图。

图2为本发明实施例1的LED芯片的俯视示意图。

图3为本发明实施例2的LED芯片的俯视示意图。

图4为本发明的实施例3的LED芯片制造流程图。

图5~8为LED芯片制造过程中的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。

实施例1

如图1和图2所示，本实施例1提供一种LED芯片。该LED芯片包括：衬底110，设置于衬底110上的N型半导体层120和P型半导体层140，设置于N型半导体层120和P型半导体层140之间的发光层130，与N型半导体层120相连的N型电极170，与P型半导体层140相连的P型电极160，以及设置于P型半导体层140上的电流阻挡层180和透明导电层150。其中，P型电极160位于电流阻挡层180上，也位于透明导电层150上。P型电极160连接有电极引脚161。在该实施例中，P型电极160为圆形，电极引脚161为长方形。