[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括步骤：

S10、在玻璃基板(20)上制备栅极(30)；

S20、在经过步骤S10之后的玻璃基板(20)上依次制备栅极绝缘层薄膜(40a)、有源层(50)、欧姆接触层(60)、以及源极/漏极(70a、70b)，其中所述栅极绝缘层薄膜(40a)覆盖像素结构(10)的透光区域(10a)和非透光区域(10b)；所述步骤S20具体包括：

在形成所述栅极(30)的玻璃基板(20)上依次形成栅极绝缘层薄膜(40a)、有源层薄膜(50a)、欧姆接触层薄膜(60a)以及源极/漏极金属薄膜(70)，并在所述源极/漏极金属薄膜(70)上涂覆光刻胶；

采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，保留源极(70a)区域和漏极(70b)区域对应的光刻胶及沟道区域对应的光刻胶；

刻蚀掉暴露出的源极/漏极金属薄膜(70)、欧姆接触层薄膜(60a)和有源层薄膜(50a)；

经过灰化处理去掉所述沟道区域对应的光刻胶，并刻蚀沟道区域上方的欧姆接触层薄膜(60a)以及源极/漏极金属薄膜(70)；

剥离剩余的光刻胶，获得所述栅极绝缘层薄膜(40a)、有源层(50)、欧姆接触层(60)、以及源极/漏极(70a、70b)；

S30、在经过步骤S20之后的玻璃基板(20)上制备钝化层薄膜(80b)，其中所述钝化层薄膜(80b)覆盖所述像素结构(10)的透光区域(10a)和非透光区域(10b)；

S40、通过刻蚀工艺在所述钝化层薄膜(80b)上制备一过孔(80a)，同时将覆盖于所述透光区域(10a)上的所述栅极绝缘层薄膜(40a)和所述钝化层薄膜(80b)刻蚀去除，并且在所述透光区域(10a)暴露出所述玻璃基板(20)；

S50、在经过步骤S40之后的玻璃基板(20)上制备像素电极(90)，其中所述像素电极(90)在所述透光区域(10a)内直接形成在所述玻璃基板(20)上，所述像素电极(90)为平板状且全面覆盖所述透光区域(10a)，并且所述像素电极(90)通过所述过孔(80a)与所述源极或所述漏极(70a、70b)电性连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S10具体包括：

在所述玻璃基板(20)上形成一层栅极金属薄膜(30a)；

在所述栅极金属薄膜(30a)上涂覆光刻胶，并通过对光刻胶的曝光、显影保留栅极图形区域的光刻胶；

刻蚀掉暴露出的栅极金属薄膜(30a)并剥离剩余的光刻胶，形成所述栅极(30)。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S40具体包括：

在所述钝化层薄膜(80b)上涂覆光刻胶，并通过对光刻胶的曝光、显影，在过孔(80a)区域和透光区域(10a)暴露出所述钝化层薄膜(80b)；

通过刻蚀工艺在所述过孔(80a)区域刻蚀去除所述钝化层薄膜(80b)，获得所述过孔(80a)；同时，在所述透光区域(10a)刻蚀去除所述钝化层薄膜(80b)和栅极绝缘层薄膜(40a)，暴露出所述玻璃基板(20)。