[发明专利]半导体背面用切割带集成膜有效

专利信息
申请号: 201510166579.3 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN104845545A 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 高本尚英;松村健;志贺豪士 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J7/02 分类号: C09J7/02;H01L21/77;H01L21/68;H01L21/50;H01L23/488
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 背面 切割 集成
【说明书】:

本申请是申请日为2010年12月24日、申请号为201010621817.2、 发明名称为“半导体背面用切割带集成膜”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。将倒装芯片型半 导体背面用膜用于保护芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和 增强强度。此外,本发明涉及使用半导体背面用切割带集成膜 的半导体器件和生产所述器件的方法。

背景技术

近年来,日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。 因此,作为半导体器件及其封装,已经广泛地利用其中将半导 体芯片(芯片形工件)以该半导体芯片的电路面与基板的电极形 成面相对的形式固定至基板的那些(即,通过倒装芯片接合生产 的半导体芯片,或倒装芯片安装的半导体器件)。在此类半导体 器件等中,在一些情况下半导体芯片(芯片形工件)的背面用保 护膜保护以抑制半导体芯片损坏(参见,例如,专利文献1至10)。

专利文献1:JP-A-2008-166451

专利文献2:JP-A-2008-006386

专利文献3:JP-A-2007-261035

专利文献4:JP-A-2007-250970

专利文献5:JP-A-2007-158026

专利文献6:JP-A-2004-221169

专利文献7:JP-A-2004-214288

专利文献8:JP-A-2004-142430

专利文献9:JP-A-2004-072108

专利文献10:JP-A-2004-063551

发明内容

然而,将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通 过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致 增加粘贴步骤,以致步骤的数量增加,成本等增加。此外,由 于近年来的薄型化,在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中, 在一些情况下可能损害半导体芯片。因此,期望增强半导体晶 片或半导体芯片直至拾取步骤。

考虑到前述问题发明本发明,其目的在于提供从半导体晶 片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的 半导体背面用切割带集成膜。此外,本发明的另一目的在于提 供半导体背面用切割带集成膜,其能够在半导体晶片的切割步 骤中显示出优良的保持力,在半导体芯片的倒装芯片接合步骤 后能够进一步显示出优良的激光标识性。

作为为解决上述常规问题进行深入研究的结果,本发明人 已发现,当将倒装芯片型半导体背面用膜层压在具有基材和压 敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而以集成形式形成切 割带和倒装芯片型半导体背面用膜并且所述倒装芯片型半导体 背面用膜包含黑色颜料时,从半导体晶片的切割步骤至半导体 芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用其中以集成形式形成切割 带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割 带集成膜),以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保 持力,在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够进一步显示优 良的激光标识性,由此完成本发明。

即,本发明提供半导体背面用切割带集成膜,其包括:

切割带,所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏 粘合剂层;和

倒装芯片型半导体背面用膜,所述倒装芯片型半导体背面 用膜设置于所述压敏粘合剂层上,

其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。

如上所述,根据本发明的半导体背面用切割带集成膜以倒 装芯片型半导体背面用膜与具有基材和压敏粘合剂层的切割带 集成的形式形成,并且在倒装芯片型半导体背面用膜中将黑色 颜料用作着色剂。因此,通过在切割晶片(半导体晶片)时将半 导体背面用切割带集成膜粘贴至工件(半导体晶片),能够有效 地切割和保持工件。此外,在切割工件以形成芯片形工件(半导 体芯片)后,通过将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一 起以优良的拾取性从切割带的压敏粘合剂层容易地剥离,能够 容易地获得背面受到保护的芯片形工件。此外,由于其中将黑 色颜料用作着色剂的倒装芯片型半导体背面用膜形成于芯片形 工件的背面,因此芯片形工件具有优良的激光标识性。自然, 芯片形工件具有优良的外观性,这是因为将其中将黑色颜料用 作着色剂的倒装芯片型半导体背面用膜以优良的紧密粘合性粘 贴至所述芯片形工件背面。

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