[发明专利]阵列基板、显示装置及用于制备阵列基板的方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的吸光层；以及

位于所述吸光层上的底栅型薄膜晶体管单元；

其中，所述吸光层的投影覆盖所述底栅型薄膜晶体管单元的栅极金属层、源极金属层和漏极金属层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层的投影还覆盖所述底栅型薄膜晶体管单元的有源层。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层为有机吸光层。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述底栅型薄膜晶体管单元包括：

位于所述吸光层上的所述栅极金属层；

位于所述栅极金属层上的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层上的有源层；

位于所述有源层上的刻蚀阻挡层，其上开设有第一过孔和第二过孔；以及

位于所述刻蚀阻挡层上的所述源极金属层和所述漏极金属层，所述源极金属层和所述漏极金属层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述有源层。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的阵列基板。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，还包括：

位于所述阵列基板上的钝化层；

位于所述钝化层上的像素电极层；

位于所述像素电极层上的像素绝缘层；

位于所述像素绝缘层上的有机层；

位于所述有机层上的阴极金属层；以及

位于所述阴极金属层上的封装盖板。

7.一种用于制备阵列基板的方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成吸光层和底栅型薄膜晶体管单元，并使所述吸光层的投影覆盖所述底栅型薄膜晶体管单元的栅极金属层、源极金属层和漏极金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：在所述衬底基板上形成吸光层和底栅型薄膜晶体管单元，包括在所述衬底基板上形成所述吸光层和所述栅极金属层；在所述衬底基板上形成所述吸光层和所述栅极金属层，包括：

在所述衬底基板上依次沉积吸光层和栅极金属层；

在所述栅极金属层上涂布光刻胶；

采用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影，形成未曝光光刻胶形貌、部分曝光光刻胶形貌和完全曝光区域；

通过第一次刻蚀工艺去掉暴露在光刻胶外面的栅极金属层和吸光层；

通过第一次灰化工艺去掉除所述未曝光光刻胶形貌以外的光刻胶；

通过第二次刻蚀工艺去掉未曝光光刻胶形貌以外区域的栅极金属层；

通过第二次灰化工艺去掉剩余的光刻胶。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：采用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影，形成未曝光光刻胶形貌、部分曝光光刻胶形貌和完全曝光区域，具体为：

采用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，使光刻胶形成未曝光区域、部分曝光区域和所述完全曝光区域，通过显影完全去掉所述完全曝光区域的光刻胶，部分去掉所述部分曝光区域的光刻胶以形成所述部分曝光光刻胶形貌，保留未曝光区域的光刻胶以形成所述未曝光光刻胶形貌。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成吸光层和底栅型薄膜晶体管单元，还包括：

在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成刻蚀阻挡层，并使所述刻蚀阻挡层上开设有第一过孔和第二过孔；

在所述刻蚀阻挡层上形成所述源极金属层和所述漏极金属层，并使所述源极金属层和所述漏极金属层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述有源层。