[发明专利]阵列基板、显示装置及用于制备阵列基板的方法在审
申请号: | 201510167361.X | 申请日: | 2015-04-10 |
公开(公告)号: | CN104752489A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/552 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 朱绘;张文娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 用于 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板,还涉及一种具有该阵列基板的显示装置,以及用于制备该阵列基板的方法。
背景技术
主动有机发光二极管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,简称为AMOLED)是一种利用有机半导体材料制成的、用直流电压驱动的薄膜发光器件。与传统的LCD显示技术不同,AMOLED显示技术无需背光灯,仅需非常薄的有机材料涂层即可实现发光。AMOLED显示技术的发光原理是:当有电流通过有机材料涂层时,有机材料涂层内的有机材料就会发光。AMOLED显示面板可以做得更轻更薄,可视角度更大,并且能够显著节省电能。
AMOLED显示面板具有栅极金属层、源极金属层和漏极金属层。这些金属层的反光能力强。环境光可以通过显示面板的盖板的开口区域照射到这些金属层上并与金属层发生强烈的反射,从而影响AMOLED显示面板的显示效果。
现有技术通常采用在盖板上贴合一片圆偏光片的方法,来实现阻挡部分环境光照射到显示面板的金属层上的目的。然而,通过圆偏光片阻挡部分环境光照射到显示面板的金属层的方法的缺陷在于:由于圆偏光片的遮光区域与显示面板的金属层的设置区域不完全吻合,因此一方面圆偏光片不能完全遮挡照射到金属层的所有环境光,另一方面圆偏光片会遮挡住照射到金属层以外区域的有用环境光,从而使显示面板的亮度明显降低。为了补偿降低的亮度,需要相应地增加显示面板的功耗。但是,功耗的增加又会带来显示面板寿命的大幅缩短以及显示面板整体厚度的增加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是在不增加显示面板功耗的情况下有效阻挡环境光照射到显示面板的金属层上。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
根据本发明的第一个方面,提供了一种阵列基板,其包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的吸光层;以及
位于所述吸光层上的底栅型薄膜晶体管单元;
其中,所述吸光层的投影覆盖所述底栅型薄膜晶体管单元的栅极金属层、源极金属层和漏极金属层。
优选的是,所述吸光层的投影还覆盖所述底栅型薄膜晶体管单元的有源层。
优选的是,所述吸光层为有机吸光层。
优选的是,所述底栅型薄膜晶体管单元包括:
位于所述吸光层上的所述栅极金属层;
位于所述栅极金属层上的栅极绝缘层;
位于所述栅极绝缘层上的有源层;
位于所述有源层上的刻蚀阻挡层,其上开设有第一过孔和第二过孔;以及
位于所述刻蚀阻挡层上的所述源极金属层和所述漏极金属层,所述源极金属层和所述漏极金属层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述有源层。
根据本发明的第二个方面,提供了一种具有上述阵列基板的显示装置。
优选的是,所述显示装置还包括:
位于所述阵列基板上的钝化层;
位于所述钝化层上的像素电极层;
位于所述像素电极层上的像素绝缘层;
位于所述像素绝缘层上的有机层;
位于所述有机层上的阴极金属层;以及
位于所述阴极金属层上的封装盖板。
根据本发明的第三个方面,提供了一种用于制备上述阵列基板的方法,该方法包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成吸光层和底栅型薄膜晶体管单元,并使所述吸光层的投影覆盖所述底栅型薄膜晶体管单元的栅极金属层、源极金属层和漏极金属层。
优选的是,在所述衬底基板上形成吸光层和底栅型薄膜晶体管单元,包括在所述衬底基板上形成所述吸光层和所述栅极金属层;在所述衬底基板上形成所述吸光层和所述栅极金属层,包括:
在所述衬底基板上依次沉积吸光层和栅极金属层;
在所述栅极金属层上涂布光刻胶;
采用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影,形成未曝光光刻胶形貌、部分曝光光刻胶形貌和完全曝光区域;
通过第一次刻蚀工艺去掉暴露在光刻胶外面的栅极金属层和吸光层;
通过第一次灰化工艺去掉除所述未曝光光刻胶形貌以外的光刻胶;
通过第二次刻蚀工艺去掉未曝光光刻胶形貌以外区域的栅极金属层;
通过第二次灰化工艺去掉剩余的光刻胶。
优选的是,采用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影,形成未曝光光刻胶形貌、部分曝光光刻胶形貌和完全曝光区域,具体为:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的