[发明专利]基准电压源电路

说明书

【技术领域】

本发明涉及基准电压技术领域，特别涉及一种基准电压源电路。

【背景技术】

在模拟电路中经常需要基准电压源电路为其他电路提供参考电压，希望输出的参考电压比较准确，随电源电压、温度、工艺的变化都较小。现有技术中，通常由带隙基准(Bandgap Refrrence)电压电路提供参考电压，其原理是依赖于半导体材料的基带带隙电压，例如，通过将正温度系数的电压△Vbe(△Vbe＝Vbe2-Vbe1)与负温度系数的电压Vbe(Vbe＝Vbe2)以一定比例相加产生稳定的参考电压，其中，Vbe1为双极型晶体管Q1的基极-发射极电压，Vbe2为双极型晶体管Q2的基极-发射极电压，也就是说，为了获得稳定的参考电压需要设计包括特殊的双极型晶体管的带隙基准电路。但是，有些工艺中没有需要的双极型晶体管，为了特别提供所需的双极型晶体管，可能需要额外的光刻步骤，这将会增加芯片的制造成本。

因此，有必要提供一种改进的技术方案来解决上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种基准电压源电路，其无需制造特殊的双极型晶体管就可提供稳定的参考电压，且本发明的电路结构简单，所占用的芯片面积较小。

为了解决上述问题，本发明提供一种基准电压源电路，其包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、反馈电压采样电路和基准电压输出端。其中，第三MOS管的漏极和第二MOS管的漏极均与节点O相连，第三MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连，第三MOS管的源极与第三MOS管的栅极相连，第二MOS管的源极与基准电压输出端相连，节点O与第一电压端相连；第一MOS管的漏极与第三MOS管的源极相连，第一MOS管的源极与第二电压端相连。所述反馈电压采样电路的输入端与所述基准电压输出端相连，其输出端与所述第一MOS管的栅极相连，所述反馈电压采样电路用于采样所述基准电压输出端输出的基准电压，以输出反馈电压给所述第一MOS管的栅极。

进一步的，基准电压源电路还包括连接于所述基准电压输出端和反馈电压采样电路的输出端之间的电容。

进一步的，基准电压源电路还包括第四MOS管，所述第四MOS管的漏极与所述第一压端相连，其栅极与其源极相连，其源极与节点O相连。

进一步的，所述反馈电压采样电路包括串联于基准电压输出端和第二电压端的第二电阻和第一电阻，所述第一电阻和第二电阻之间的连接节点作为所述反馈电压采用电路的输出端。

进一步的，所述第一MOS管为增强型NMOS晶体管，所述第三MOS管为耗尽型NMOS晶体管，所述第二MOS管为增强型NMOS晶体管或耗尽型NMOS晶体管，所述第一电压端为电源端，所述第二电压端为接地端，所述第一电源端接正输入电压，所述基准电压输出端输出正基准电压。

进一步的，所述第四MOS管为耗尽型NMOS晶体管。

进一步的，所述第一MOS管为增强型PMOS晶体管，所述第二MOS管和第三MOS管为耗尽型PMOS晶体管，所述第一电压端为电源端，所述第二电压端为接地端，所述第一电源端接负输入电压，所述基准电压输出端输出负基准电压。

进一步的，所述第四MOS管为耗尽型PMOS晶体管。

进一步的，所述第一电阻和第二电阻为相同类型的电阻，且温度系数相同。

进一步的，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管满足如下公式：