[发明专利]掩膜板及其制备方法有效
| 申请号： | 201510169291.1 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104779145B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张沈钧;翁国峰 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜板 及其 制备 方法 | ||
1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：遮光区域和透光区域，
在所述遮光区域上形成有邻接部，所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处，所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述掩膜板的邻接部的厚度；
所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度为所述掩膜板的邻接部的厚度的b倍，所述b大于等于2，且小于等于3。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，
所述邻接部的宽度范围为1～2毫米。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，
所述邻接部的边缘厚度由所述遮光区域向所述透光区域逐渐减小。
4.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在不透光基板上形成透光区域，所述不透光基板上除所述透光区域外的区域为遮光区域；
在所述遮光区域上形成邻接部，所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处，所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述邻接部的厚度；
所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度为所述邻接部厚度的b倍，所述b大于等于2，且小于等于3。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
所述邻接部的宽度范围为1～2毫米。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述遮光区域上形成邻接部，包括：
在所述遮光区域上通过涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀形成所述邻接部，所述邻接部的边缘厚度由所述遮光区域向所述透光区域逐渐减小。
7.根据权利要求4至6任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述在不透光基板上形成透光区域，包括：
对所述不透光基板的两面分别进行一次构图工艺，形成所述透光区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
