[发明专利]掩膜板及其制备方法有效
申请号: | 201510169291.1 | 申请日: | 2015-04-10 |
公开(公告)号: | CN104779145B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 张沈钧;翁国峰 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜板及其制备方法。
背景技术
在有机发光二极管显示装置制备过程中,使用掩膜板制作衬底基板蒸镀时所需要的图形是一个非常重要的环节。掩膜板包括遮光区域和透光区域,遮光区域设置有多个位于不同区域的遮光层,遮光层用于遮光。近年来,随着高分辨率显示技术的发展,小尺寸高精度金属掩膜板(英文:Fine Metal Mask;简称:FMM)受到了广泛的关注。
现有的FMM通常是先对掩膜板表面进行涂覆、曝光、显影和刻蚀,制作蒸镀时所需要的图形,然后再将该掩膜板张网并焊接到框架表面。使用FMM制作图形时,先利用光源照射掩膜板,透过掩膜板透光区域的透射光线使衬底基板上的光刻胶感光,光刻胶之下为薄膜层,然后再经过显影和刻蚀使衬底基板获得蒸镀时所需要的图形。
FMM在刻蚀的过程中会产生带有弧度的锥形角,而由于现有的FMM如图1所示,所采用的掩膜板的遮光区域101的厚度d通常为100um(微米),厚度较大,而厚度越大,蒸镀薄膜102的阴影效应就越明显,蒸镀薄膜的质量越差。因此,蒸镀薄膜的质量较差。
发明内容
为了解决蒸镀薄膜的质量较差的问题,本发明提供了一种掩膜板及其制备方法。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种掩膜板,所述掩膜板包括:遮光区域和透光区域,
在所述遮光区域上形成有邻接部,所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述掩膜板的邻接部的厚度。
可选的,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度为所述掩膜板的邻接部的厚度的b倍,所述b大于等于2,且小于等于3。
可选的,所述邻接部的宽度范围为1~2毫米。
可选的,所述邻接部的边缘厚度由所述遮光区域向所述透光区域逐渐减小。
第二方面,提供了一种掩膜板的制备方法,所述方法包括:
在不透光基板上形成透光区域,所述不透光基板上除所述透光区域外的区域为遮光区域;
在所述遮光区域上形成邻接部,所述邻接部位于所述透光区域与所述遮光区域的邻接处,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度大于所述邻接部的厚度。
可选的,所述掩膜板的遮光区域上除所述邻接部外的区域处的厚度为所述掩膜板的邻接部的厚度的b倍,所述b大于等于2,且小于等于3。
可选的,所述邻接部的宽度范围为1~2毫米。
可选的,所述在所述遮光区域上形成邻接部,包括:
在所述遮光区域上通过涂覆光刻胶、曝光、显影及刻蚀形成所述邻接部,所述邻接部的边缘厚度由所述遮光区域向所述透光区域逐渐减小。
可选的,所述在不透光基板上形成透光区域,包括:
对所述不透光基板的两面分别进行一次构图工艺,形成所述透光区域。
本发明提供了一种掩膜板及其制备方法,通过在遮光区域上,且在透光区域与遮光区域的邻接处形成有邻接部,同时遮光区域上除邻接部外的区域处的厚度大于掩膜板的邻接部的厚度,从而使透光区域的边缘的厚度减小,相较于现有的FMM,蒸镀薄膜的阴影效应的区域更小,蒸镀薄膜的质量更好。因此,提高了蒸镀薄膜的质量。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的现有FMM的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种掩膜板上某一透光区域及其周围的遮光区域的侧视图;
图4是本发明实施例提供的一种掩膜板的邻接部宽度的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种掩膜板的制备方法的流程图;
图6是本发明实施例提供的一种不透光基板一面涂覆光刻胶的侧视图;
图7是本发明实施例提供的一种不透光基板一面进行曝光的侧视图;
图8是本发明实施例提供的一种不透光基板一面进行显影的侧视图;
图9是本发明实施例提供的一种不透光基板一面进行刻蚀的侧视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510169291.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造