[发明专利]一种3.46微米窄带滤光片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510170051.3 申请日: 2015-04-10
公开(公告)号: CN104714265A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 王明利 申请(专利权)人: 苏州奥科辉光电科技有限公司
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;G02B1/10
代理公司: 代理人:
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区华云*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 3.46 微米 窄带 滤光 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种3.46微米窄带滤光片,包括基板,位于所述基板两侧表面的正面膜系与反面膜系,其特征在于:所述基板的材质为JGS3型号的光学石英玻璃,其表面质量大于60/40;所述正面膜系与反面膜系均由镀膜材料SiO2和Si交替沉积而成并分别形成交替的SiO2层与Si层;

所述正面膜系由内而外依次由Si层与SiO2层交替沉积共17层,其中包括9层Si层与8层SiO2层,即最内层及最外层均为Si层,最内层的Si层直接沉积在所述基板的正表面;所述反面膜系由内而外依次由Si层与SiO2层交替沉积共23层,其中包括12层Si层与11层SiO2层,即最内层及最外层均为Si层,最内层的Si层直接沉积在所述基板的反表面。

2.根据权利要求1所述的一种3.46微米窄带滤光片,其特征在于,所述正面膜系由内而外由Si层及SiO2层交替沉积而成,其由内而外的厚度分别为Si层112nm、SiO2层722nm、Si层490nm、SiO2层574nm、Si层245nm、SiO2层574nm、Si层245nm、SiO2层574nm、Si层490nm、SiO2层574nm、Si层245nm、SiO2层574nm、Si层245nm、SiO2层574nm、Si层490nm、SiO2层574nm、Si层245nm。

3.根据权利要求1所述的一种3.46微米窄带滤光片,其特征在于,所述反面膜系由内而外由Si层及SiO2层交替沉积而成,其由内而外的厚度分别为Si层42.99nm、SiO2层247.47nm、Si层94.72nm、SiO2层175.8nm、Si层128.06nm、SiO2层237.84nm、Si层95.1nm、SiO2层242.98nm、Si层53.6nm、SiO2层238.03nm、Si层113.67nm、SiO2层316.57nm、Si层141.11nm、SiO2层372.4nm、Si层145.6nm、SiO2层341.72nm、Si层151.05nm、SiO2层395.08nm、Si层144.14nm、SiO2层294.69nm、Si层170.11nm、SiO2层443.53nm、Si层44.48nm。

4.一种如权利要求1至3任一项所述的3.46微米窄带滤光片的制备方法,其特征在于,步骤如下:

以JGS3型号的光学石英玻璃为基板,以SiO2和Si为镀膜材料,采用电子束蒸发真空镀方式,在真空度<10-3pa、温度<250℃的条件下,加以离子辅助沉积,采用反射光的间接式控制,监控沉积速率以保持其稳定的沉积速率,沉积速率少于

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